电信基础设施

对于人员、业务、机器及自动化流程的无缝连接而言，端到端 5G 网络至关重要。从大规模的固定与无线接入，到传输及核心设备，只有在网络各部分均准备万全之时，5G 才能发挥作用。而各类网络的最低速率均取决于其最为薄弱的链接之处。在英飞凌，我们所开发的全新 5G  配套技术可提供当前网络 20 倍以上的带宽，同时还能改善时延状况，所有这些都需要极高的可靠性 (99.9999%)，以打造“始终连接”的网络。

通信功率转换系统的性能改善源于高压 MOSFET 导通电阻的降低。为实现当前高要求的均衡型能效目标，可采用英飞凌的同步整流中压 OptiMOS™ 功率 MOSFET。OptiMOS™ 功率 MOSFET系列通常用于 DC-DC 砖型解决方案，配合栅极驱动器 IC 及微控制器，可为宏基站与小基站中的基带单元 (BBU)、射频拉远单元 (RRU) 及有源天线单元 (AAU) 进行高效供电。

英飞凌宽带隙技术，如用于初级侧的 CoolGaN™ 600 V（基于氮化镓）和 CoolSiC™ 650 V （基于碳化硅），以及即将推出的同步整流用 CoolGaN™ 100V/200V，均可以颇具吸引力的系统成本实现极高的电能转换效率和稳定性。我们的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 系列是 CoolGaN™ 和 CoolSiC™ 产品的理想配套器件。