英飞凌工业级隔离型门极驱动芯片，那些你不知道的事

英飞凌推出全新EiceDRIVER™ 1EDC Compact宽体封装系列。该系列通过UL 1577认证，在绝缘测试中，达到一分钟VISO= 2500 V(rms)。英飞凌还提供具有功能隔离的1EDI系列产品。

英飞凌EiceDRIVER™ 1ED compact系列，1200 V电气隔离紧凑型门极驱动，适用于超结MOSFET（例如CoolMOS™），IGBT，碳化硅MOSFET（例如CoolSiC™ ），IGBT模块。

• 提供3.8 mm的DSO-8窄体封装，及7.6 mm爬电距离的DSO-8宽体封装

• 轨到轨输出可以实现高达10 A的输出电流

• 能够在高温环境下工作

• 独立的灌电流和拉电流输出引脚；或者提供有源米勒钳位功能

• 提供短路电流钳位与有源安全关断

• 共模瞬变抗扰度（CMTI）高于100 kV/μs

√ 独立的灌电流和拉电流输出引脚∆ 有源米勒钳位

英飞凌EiceDRIVER™ 1ED Enhanced，1200 V单通道电气隔离增强型门极驱动，适用于IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET。使用DSO-16封装，输出电流可达到2 A，提供电气隔离。拥有精准的退饱和保护功能，很好地为碳化硅（SiC）MOSFET提供短路保护。引脚均与5 V的CMOS兼容。

2ED020I12-F2是1ED020I12-F2的双通道输入逻辑版本，使用DSO-36封装。2ED020I12-F2是高压高速的MOSFET和IGBT门极驱动，高边与低边输出具有联锁保护。

• 提供7.6 mm爬电距离的DSO宽体封装

• 能够在高温环境下工作

• 提供有源米勒钳位功能

• 提供短路电流钳位与有源安全关断

• 共模瞬变抗扰度（CMTI）高于100 kV/μs

• 精准的退饱和保护功能（DESAT）

功能隔离:导电部件之间的必要性隔离功能，用于保证电路的正常工作。基本隔离 (VDE0884-10):在带电部件间提供基本隔离，保护终端设备用户，使其免受电击。

英飞凌的隔离型EiceDRIVER™门极驱动，基于无铁芯变压器技术（CT）。该技术运用半导体生产工艺，其芯片上的集成变压器由金属线圈和氧化硅绝缘层组成。输入端和输出端之间是电气隔离的，而变压器在其间传输开关信息。

每个电气隔离EiceDRIVER™ IC都适用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET，例如1200 V的超快CoolSiC™ MOSFETs。这些驱动器拥有许多驱动碳化硅MOSFET的关键优势，极短的传输延迟，精准的通道间匹配和输入滤波，超宽的输出范围和负电压驱动能力，以及极佳的共模瞬变抗扰度（CMTI）。