嵌入式闪存 IP 解决方案 - Infineon Technologies

综述

高度可靠、低功耗的嵌入式闪存 (eFlash) 存储器解决方案，支持下一代汽车和物联网应用

嵌入式闪存 (eFlash) 存储器是许多要求低功耗和高可靠性的半导体产品的关键支持技术。例如，微控制器使用 eFlash 存储程序指令（代码）以及执行处理的数据。英飞凌为这些用例许可了某些闪存 IP。请联系我们了解详情。

适用于您的 SoC 的稳健、久经考验和高性能的嵌入式闪存

物联网设备使用嵌入式闪存来实现智能、灵活和安防的产品，这些产品可以无线或OTA更新。带有嵌入式闪存的电子设备支持从智能卡和可穿戴设备到工厂自动化系统和自动驾驶汽车等各种产品。

英飞凌提供SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）闪存技术，可满足从低成本消费类到高性能汽车的应用需求。SONOS技术与CMOS非常兼容，并已集成到代工厂标准的逻辑流程中，同时保留了CMOS设备模型和现有的设计IP。

英飞凌将 SONOS 技术应用于面向消费品、工业和汽车市场的微控制器产品 (MCU)。近二十年来，我们已经出货了数十亿个包含我们嵌入式闪存技术的微控制器，这表明我们的嵌入式闪存解决方案非常稳健且久经考验。而且，英飞凌使我们的嵌入式闪存解决方案可用于第三方公司的许可。

适用于低功耗应用的高性价比解决方案

英飞凌的专利专有SONOS嵌入式闪存技术旨在满足经济高效的MCU的低功耗要求。自 2001 年在 350 nm 上推出以来，SONOS 嵌入式闪存取得了进展，现已在各种先进工艺节点上批量生产，包括 130 nm、65 nm、55 nm、40 nm 和 28 nm。

SONOS eFlash 位单元由两个晶体管组成：一个 SONOS（控制栅）和一个MOS（选通栅），并采用低功耗 FN 隧穿机制来实现高效的编程和擦除操作。

英飞凌的SONOS嵌入式闪存宏系列为下一代SoC提供了强大的嵌入式闪存解决方案。这些解决方案具有多种优势、

SONOS eFlash	55 nm	40 nm
Cell Architecture	2T, 1 bit/cell	2T, 1 bit/cell
Density	1 Mb, 2 Mb, 4 Mb, 8 Mb, 16 Mb	1 Mb, 2 Mb, 4 Mb, 8 Mb, 16 Mb
Word Size	32-bit	32-bit
Output Bus Width	32, 64, 128-bit	32, 64, 128, 256-bit
Supply Voltage	0.90 V – 1.32 V 1.62 V – 3.63 V	0.81 V – 1.21 V 1.62 V – 3.63 V
Operating Temperature (Junction)	-40°C to +125°C	-40°C to +125°C
Read Access Time	25 ns	25 ns
Page Size	4 kb	4 kb / 8 kb
Page Programming Time (typ.)	2 ms	2 ms
Erase Sector Size	1 Mb	1 Mb / 2 Mb
Sector Erase Time (typ.)	6 ms	6 ms
Write Endurance	100 k	100 k
Data Retention	10 years	10 years
Extra Masks	4	5