F-RAM（铁电RAM）
高度可靠、低功耗的数据记录存储器，具有几乎无限的耐用性
F-RAM（铁电RAM） 子类别
用于关键数据记录的 F-RAM（铁电 RAM）存储器解决方案
F-RAM（铁电随机存取存储器或 FeRAM）是一种独立的非易失性存储器，可让您在电源中断时立即捕获和保存关键数据。它们非常适合任务关键型数据记录应用，例如需要高可靠性控制和吞吐量的高性能可编程逻辑控制器 (PLC) 或改善生活质量的患者监护设备。F-RAM 采用低功耗、小型化的设计，可在不影响速度或能源效率的情况下提供即时非易失性和几乎无限的耐久性。
密度：4 Kb、16 Kb、64 Kb、128 Kb、256 Kb、512 Kb、1 Mb、2 Mb、4 Mb、8 Mb 和 16 Mb
接口：I2C、SPI、QSPI 和并行接口（X8、X16）
英飞凌 F-RAM 存储器的主要特性
英飞凌的F-RAM存储器解决方案提供了一系列功能，包括：
- 无延迟写入，它以总线速度将数据写入存储单元，无需浸泡时间（soak time）。
- 铁电存储器产品非常耐用，写入次数超过100万亿次，比浮栅存储器更耐用。
- 超低功耗，消耗的能量比 EEPROM低 200 倍，比 NOR 闪存低 3000 倍。
- 耐辐射，不受辐射引起的软错误的影响而产生位翻转。
全面的串行和并行 F-RAM 存储器解决方案组合
英飞凌提供全面的串行和并行 F-RAM 非易失性存储器产品组合。我们的标准 F-RAM 的密度范围从 4 Kb 到 4 Mb 不等。EXCELON™是英飞凌的下一代F-RAM内存。EXCELON™ F-RAM 将超低功耗操作与高速接口、即时非易失性和无限读/写耐久性相结合，提供业界功耗最低的非易失性存储器，使其成为便携式医疗、可穿戴设备、物联网传感器、工业和汽车应用的理想数据记录存储器。它们的密度从2 Mb到16 Mb不等，除了1.8 V至3.6 V的宽电压范围外，还支持1.71 V至1.89 V的工作电压范围
通过铁电技术实现高度可靠的非易失性存储器
F-RAM 存储器建立在铁电技术之上。F-RAM 芯片包含一层由锆钛酸铅组成的铁电薄膜，通常被称为 PZT。PZT 中的原子会改变电场中的极性，从而产生高效能的二进制切换。但是，PZT最重要的一点是它不受电源中断的影响，这使得F-RAM成为可靠的非易失性存储器。F-RAM 的基本工作原理及其独特的存储单元架构赋予了特定的优势，使该技术与 EEPROM 或 NOR Flash 等竞争存储器技术区分开来。
F-RAM 与其他有竞争关系的非易失性存储器对比
F-RAM 是业界最高效的非易失性存储器，与竞争对手 EEPROM 和 MRAM 解决方案相比，消耗的有功电流要低得多。这使得 F-RAM 适用于电池供电的设备，例如可穿戴设备和医学装置。
除了最低的功耗外，F-RAM 还不受外部磁场的影响，因此即使暴露在强磁场中也能进行重写。
凭借 100 万亿次几乎无限的耐久性和即时的非易失性，F-RAM 在多个数据记录应用中的性能优于现有存储器，例如 EEPROM 和 NOR flash。
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