nvsRAM（非易失性 SRAM）
业界最快的 nvSRAM，具有无限的读/写耐久性，无需电源即可保留二十年的数据
nvSRAM（非易失性 SRAM）是一种独立的非易失性存储器，可在电源中断时立即捕获SRAM数据并保留SRAM副本至非易失性存储器中，且允许在不消耗功耗的情况下调用数据。它们非常适合需要快速写入速度、高耐久性和即时非易失性的高性能可编程逻辑控制器 (PLC)、智能电表和网络路由器等数据记录应用。
- 无限的读/写耐久性
- 随机存取和快速读/写
- 耐辐射 & QML 认证
- 二十年的数据保留
- 没有磨损均衡程序
英飞凌的 nvSRAM 系列及其功能特点
英飞凌的nvSRAM将业界领先的SRAM技术与一流的SONOS非易失性技术相结合，并提供了全面的串行和并行nvSRAM非易失性存储器产品组合。
我们的并行 nvSRAM 是业界最快的并行非易失性 RAM 解决方案，最快的访问时间为 20 ns。它们的密度从 64 kbit 到 16 Mbit 不等，支持 2.7 V 至 5.5 V 的宽电压范围。它们用于 RAID 存储、工业自动化以及计算和网络等应用。
我们的串行 nvSRAM 提供无限的读/写耐久性和高速读写能力。它们的密度从 64 kbit 到 1 Mbit 不等，支持 2.7 V 至 5.5 V 的宽电压范围。它们用于工业控制、自动化设备和智能电表等应用。
英飞凌的 nvSRAM 采用符合业界标准、RoHS 标准的封装选项，例如 TSOP、FBGA、SSOP 和 SOIC 封装。
SONOS 技术
Infineon的nvSRAM产品具有SONOS非易失性单元，该单元构建在标准SRAM存储单元上。通电后，设备的外观和行为方式与标准 SRAM 类似。但是，当断电时，每个单元的内容可以自动存储在位于SRAM单元上方的非易失性元件中。这种非易失性元件使用标准的 CMOS 工艺技术来获得标准 SRAM 的高性能。
SONOS技术利用福勒-诺德海姆隧穿效应（FN Tunneling）通过将电荷捕获在中间的氮化物层中的方式来存储数据。FN 隧穿的一个关键优势是，它可以大大提高NV耐久性，而磨损速度要慢得多。SONOS技术的另一个优势是它易于集成到CMOS中（只需两个额外的光罩）。这使得 NV 单元可以紧邻每个存储器比特中的 6T SRAM 单元，从而使 SRAM 到 NV 之间的传输都是在非常低的功率水平下并行进行的。与浮栅技术不同，SONOS存储器件可实现更薄的栅叠层，从而实现更强的静电控制，因此也更具可扩展性。
nvSRAM 与其他竞品的非易失性存储器对比
- 与竞品的 EEPROM 和 BBSRAM（Battery-Backed SRAM 或 BatRAM）解决方案相比，nvSRAM 消耗的有功电流更少。
- 此外，与电池供电解决方案不同，nvSRAM存储器不需要外部电池即可保持电荷。这使得 nvSRAM 适用于智能电表等数据记录应用程序。
- 无限的耐久性和即时非易失性确保了nvSRAM在多个数据记录应用中的性能优于现有的存储器，例如EEPROM和BBSRAM。
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