同步 SRAM
高速、高性能的同步 SRAM
同步 SRAM 子类别
时钟控制接口
同步 SRAM 是一种易失性随机存取存储器 (RAM)，它使用基于触发器的锁存电路来存储每个位。只要供电，数据位就会保留在存储器中。与异步 SRAM 不同，同步 SRAM 具有用于控制、地址和数据的时钟接口。英飞凌提供业界最广泛的同步 SRAM 产品组合，从 2M到 144M不等。
英飞凌的同步 SRAM 符合 RoHS、国防产品的 QML 认证，并提供行业标准的 TSOP、BGA 和 SOP 封装。
密度：2 Mb、4 Mb、9 Mb、18 Mb、36 Mb、72 Mb、144 Mb
接口：并行（x8、x16、x32、x72）
SRAM 存储器的主要特性
最高的RTR-业界领先的随机事务速率为2132 MT/s。
QDR-IV™ SRAM 能够在两突发长度（burst-of-two）或成组两突发长度（banked burst-of-two）模式下运行，在所有 QDR™ SRAM 中提供最快的时钟速度和最高的 RTR，也高于竞争的 RLDRAM 和 DDR3 DRAM。
高可靠性——片上纠错码 (ECC) 可提供< 0.1 fit/Mbit 的最低软错误率
英飞凌的同步 SRAM 存储器系列
标准同步 SRAM：专为缓存应用程序而设计，具有 2 位突发计数器，支持四个缓存行的大小。密度从 2 Mbit 到 72 Mbit 不等。
无总线延迟 (noBL™) 同步 SRAM：也称为零总线周转 (ZBT) SRAM，它们消除了总线转换期间的空闲周期。有两种版本可供选择：涌流式和流水线式。密度从 2 Mbit 到 144 Mbit 不等。
DDR-II/II+/II+ Xtreme 同步 SRAM：具有双倍数据速率 (DDR) I/O，适用于网络/通信应用程序中的读取密集型功能。
QDR-II/II+/II+ Xtreme 同步 SRAM：非常适合低延迟网络应用程序，具有单独的读取和写入总线。密度从 18 Mbit 到 144 Mbit 不等。
QDR-IV 同步 SRAM：具有两个独立的双向数据端口的高性能存储器，可最大限度地提高每秒的随机事务量。有 72 Mbit 和 144 Mbit 密度可供选择，适用于高速网络应用。
英飞凌的同步 SRAM 产品组合可满足各种性能、延迟和密度要求，为各种网络应用提供高效的存储器解决方案。
随机事务速率 (RTR)
随机事务速率 （RTR） 是内存每秒可以执行的完全随机读取或写入事务数。它以 MT/s 或每秒多少兆事务量来衡量。RTR 是高性能计算、通用服务器和图像处理应用程序中的一项关键指标。在这种情况下，内存访问是不可预测的。
QDR联盟定义的四倍数据速率（QDR™）SRAM产品主要面向网络和通信市场。QDR™ SRAM 允许在每个时钟周期内访问任意两个存储器位置，并且性能从不取决于在前一个时钟周期中访问的存储器位置。因此，使用QDR™ SRAM，可以保证RTR。
QDR-IV™ SRAM 能够在两突发长度（burst-of-two）或成组两突发长度（banked burst-of-two）模式下运行，在所有 QDR™ SRAM 中提供最快的时钟速度和最高的 RTR，也高于竞争的 RLDRAM 和 DDR3 DRAM。
英飞凌的 QDR™-IV SRAM 提供高达 2132 MT/s 的 RTR。
