功率二极管 & 晶闸管 (Si/SiC)-英飞凌(Infineon)官网
采用不同设计和封装的功率二极管与晶闸管
功率二极管 & 晶闸管 (Si/SiC)-英飞凌(Infineon)官网 子类别
折叠所有子类别 展开所有子类别核心技术追求的最佳可靠性和最佳效率的目标总是在不断变化。因此,我们深知持续改进必不可少。作为功率半导体和晶闸管的市场领导企业,我们在世界各地面向发电、输电、供电和电力控制提供核心技术。
我们最强烈的愿望就是助力客户在其市场竞争中取得成功。因此,我们一直在为他们的系统革新、开发和制造最先进的解决方案:具有最高功率密度和更多功能的高性能平板封装器件、具有高性价比的晶闸管/二极管模块、采用分立封装的高效硅基或 CoolSiCTM碳化硅二极管以及裸片等灵活多样产品组合
大功率二极管和晶闸管旨在显著提高众多应用的效率,覆盖10 kW-10 GW的宽广功率范围,树立了行业应用标杆。分立式硅或碳化硅(SiC)肖特基二极管的应用范围包括服务器堆场、太阳能发电厂和储能系统等;同时适用于工业和汽车级应用。
关于二极管&晶闸管 (Si/SiC)
英飞凌提供分立式、模块式和圆盘式封装的二极管和晶闸管,适用于各种应用、电压、温度和功率等级。这些设备具有高过载能力和稳定的导通特性,可提供浪涌保护,从而减少停机时间,延长使用寿命。它们还具有高导通 di/dt 容量,从而提高了效率和可靠性。
所有二极管和晶闸管均按照严格的标准制造和组装,符合 RoHS 规范。提供夹具、栅极导线、光纤和激光二极管等技术附件,以增强分立、圆盘和模块外壳中的产品。
二极管和晶闸管的类型
英飞凌的功率二极管和晶闸管分为以下几个子类别:晶闸管/二极管盘、晶闸管/二极管模块、晶闸管软启动器模块、桥式整流器和交流开关、CoolSiC™ 肖特基二极管、硅二极管和二极管裸片。
晶闸管和二极管圆盘装在密封的陶瓷外壳中,可提供坚固的保护,防止机械和环境损坏。利用碳化硅二极管满足高功率密度和功率要求。
英飞凌提供晶闸管和二极管模块,以加快产品上市时间并提高功率性能比。这些模块具有高过载能力、热稳定性和便于安装的坚固底板。
了解有关英飞凌分立二极管和晶闸管产品的更多信息。
分立器件产品组合
英飞凌分立封装晶闸管和二极管产品组合齐全,可满足您的设计要求,包括硬开关或软开关拓扑结构,以及快速开关或软恢复要求。
大功率光触发晶闸管(LTT)具有高直流阻断、浪涌电流能力和集成保护功能,有助于简化现代高压直流转换器的设计。电触发晶闸管(ETT)是一种易于扩展功率的良好选择。为提高硬开关和谐振开关应用的效率,应使用具有软恢复特性的续流二极管。
基于碳化硅(SiC)的 CoolSiC™ 肖特基二极管在高电压、高温应用中表现出色,其开关损耗与温度、开关速度或负载电流无关。英飞凌还提供具有低 VF 和抗强 EMI 的 600 V 和 1200 V 超软二极管,以及适用于 18-100 kHz 开关频率应用的 650 V 快速二极管。
为汽车焊接行业提供了低导通电压的无外壳焊接二极管——适用于中频电阻焊接和大电流整流器应用。
模块产品组合
英飞凌的晶闸管和二极管模块性价比高,安装简单快捷。还通过压接技术或焊接技术得到了进一步的优化。其中许多模块还采用了热界面材料(TIM),可在高功率密度应用中提高热性能和可靠性。
1600 V 至 4400 V 的压力触点模块具有较高的过载能力和阻断稳定性,在高功率密度和温度要求下具有一流的性能和可靠性。晶闸管软启动模块是一种经济高效、易于使用的模块,适用于低压软启动应用。焊接模块以其高性能和极具竞争力的价格弥补了这些模块之间的差距。
数十年来,晶闸管一直是这个应用领域的主导技术。如今,除晶闸管之外,HVDC系统和FACTS也会使用IGBT模块以满足不同需求。
最具性价比——英飞凌最新推出的CoolSiC™肖特基二极管650 V G6。
英飞凌提供用于功率转换系统的大功率产品组合,以帮助客户实现设计目标。
电力创造美好生活:电力给住宅送来温暖,为汽车提供动力,让特大城市灯火璀璨。全球用电需求巨大,但发电资源日趋枯竭。
Rapid 1和Rapid 2系列硅功率二极管通过填补碳化硅二极管与发射极控制二极管之间的空白,对现有的大功率600 V / 650 V二极管产品组合进行了补充。
英飞凌的Rapid 1二极管系列拥有温度特性稳定的1.35V正向电压 (VF),可确保导通损耗最低并且通过软恢复的方式使EMI辐射降至最小。
Rapid 2二极管系列专门针对频率介于40kHz和100kHz区间的应用设计,提供最低的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr),最大限度地缩短导致功率开关导通损耗的反向导通时间,从而最大限度地提高能效。