CoolSiC™肖特基二极管 1200V

综述

新型第5代能够将效率和可靠性提高到一个新的水平

高效、紧凑和简单的三相逆变器系统的实施目前受限于硅器件在1200V电压下工作的高动态损耗。使用 600V/650V 设备的替代设计可以提高一部分效率。但是，它们需要以更复杂的 (3级) 拓扑为代价，3级拓扑具有复杂的控制方案和更多的功率组件。

产品

亮点

与HighSpeed 3 IGBT相结合的1200V CoolSiC™肖特基二极管可实现更为简单的二电平拓扑结构

它还可以降低 40％的硅IGBT开通损耗和EMI。此外，与基于硅的解决方案相比，改进热性能现在可以将结温降低15％，从而提高系统可靠性，而且在给定形状因子下有可能提高输出功率。

碳化硅二极管的静态损耗往往限制了硅 IGBT / 碳化硅二极管解决方案的优化潜力。为了解决这个问题，第5代二极管降低了正向电压和温度依赖性，从而减少了静态损耗并降低了性能代价。新型第5代针对太阳能逆变器、UPS系统、电机驱动器和三相SMPS。

特性

同类中较为优异的正向电压 (V_F)
无反向恢复电荷
V_F温和的正温度依赖性
同类中较为优异的的浪涌电流能力
卓越的热性能
额定高达 40A 的二极管

优势

超高的系统效率
在低开关频率下提高系统效率
在高开关频率下提高功率密度
更高的系统可靠性
降低 EMI

应用

Promotion banner for CoolSiC Schottky Diodes 1200V in D2PAK real2pin packaging.

采用D2PAK 真两脚封装的1200 V碳化硅肖特基二极管

系统紧凑型设计的发展趋势是，在使用小巧的器件封装的同时，实现高效率。采用D2PAK 真两脚封装、额定电流范围为2A-20A的第五代1200V CoolSiC^TM肖特基二极管现已上市。与IGBT或超结MOSFET组合后（如三相转换系统中使用的Vienna整流或PFC升压），与硅二极管相比，CoolSiC^TM二极管的效率提升了1%。PFC和DC-DC级输出功率得以大幅提升40%或以上。除了可以忽略不计的开关损耗（碳化硅肖特基二极管的一大特点），第五代CoolSiC^TM还具有同类最佳正向电压（VF）、随温度变化较小的正向电压以及同类最高的浪涌电流能力。该系列产品最终以具有吸引力的价格提供领先于市场的效率和更高的系统可靠性。