IDW20G65C5
综述
CoolSiC™ 第5代代表了英飞凌用于 SiC 肖特基势垒二极管的前沿技术。凭借更紧凑的设计和薄晶圆技术，新产品系列在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和较低的品质因数(Q c x V f).
经设计，新型 CoolSiC™ 第5代可用于补充我们的650V CoolMOS™ 系列：这样能够确保此电压范围内最严格的应用要求都可以得到满足。
特征描述
- 650V 时的V br
- 改进的品质因数 (Q c x V f)
- 无反向恢复电荷
- 软开关反向恢复波形
- 温度无关开关行为
- 最高工作温度 (T j 最大值175° C)
- 改进的浪涌能力
- 无铅镀层
优势
- 更高的过压安全裕度和 CoolMOS™ 产品补充
- 提高了所有负载条件下的效率
- 与硅二极管替代方案相比，更高效率
- 与快速硅二极管反向恢复波形相比，EMI 降低
- 高度稳定的开关性能
- 降低冷却要求
- 降低热失控的风险
- 符合 RoHS
- 非常高的质量和大批量制造能力
潜在应用
视频
支持
