EiceDRIVER™ 1200 V 电平转换栅极驱动器芯片
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通过该培训,您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值,如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片,以及如何在实验室中,根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调。
Our 1200 V level-shift gate driver family is a high-voltage, level-shift technology that provides unique, measurable, and best-in-class advantages, including an integrated bootstrap-diode and industry best-in-class robustness to protect against negative transient voltage spikes.
该培训的重点是电平转换栅极驱动器的工作原理,并介绍什么是负电压瞬变及其对电平转换栅极驱动器有怎样的影响。此外还将介绍结隔离与英飞凌绝缘体上硅技术之间的技术区别。
我们提供广博的电平转换高压栅极驱动器产品组合,产品结合绝缘体上硅(SOI)和结隔离(JI)技术。了解英飞凌SOI栅极驱动器的诸多优势:集成自举二极管、电平转换损耗低、节省空间和成本及拥有负VS稳健性。
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