1EDS5663H

综述

GaN EiceDRIVER™IC具有出色的稳健性和效能，非常适合驱动GaN HEMT

新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDS5663H非常适合增强型GaN HEMT。它具有非隔离栅极（二极管输入特性）和低阈值电压，例如CoolGaN™。它可确保稳健高效的高压GaN开关操作，同时大大减少研发工作并缩短产品上市时间。

正负栅极驱动电流:
快速导通/关断GaN开关转换速度

在断相期间，将栅极电压保持在零位:
避免GaN开关误导通
减少高达50%的死区时间损失

可配置且恒定的GaN开关转换速率，跨越宽范围的开关频率和占空比:
稳健且高效的SMPS设计
缩短产品上市时间

集成电隔离:
硬开关应用中的稳健操作
可以达到加强（安全）隔离标准

低输出电阻:
输出: 0.85Ω
下沉: 0.35Ω

单通道电流隔离:
加强隔离: V_IOTM = 8000V_pk(VDE 0884-10审核中) V_IOWM = 1420 V_DC
CMTI最小值: 200V/ns

定时:
最小输出脉冲宽度: 18ns
传播延迟精度: 13ns

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