2ED28073J06F
综述
集成自举二极管（BSD）的600 V半桥栅极驱动IC
600 V半桥栅极驱动IC集成自举二极管，具有典型的0.02 A拉电流和0.08 A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动包括快速体二极管CoolMOS PFD7超结MOSFET和IGBT在内的MOSFET。
2ED28073J06F为高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高边和低边参考输出沟道。专有HVIC和防闭锁CMOS技术可帮助实现坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有低di/dt输出级，经优化，可在电机驱动应用场合下驱动CoolMOS™ PFD7。浮动沟道可用于驱动高边配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压为600 V。
特征描述
- 负VS瞬态抗扰性，70 V的dV/dt抗扰性
- di / dt更低的栅极驱动器，抗噪性能更佳
- 专为自举电路工作设计的浮动沟道
- 工作电压（VS节点）最高+ 600 V
- 最大自举电压（VB节点）为+ 625 V
- 集成自举二极管
- 内置死区时间的集成式击穿保护
- 输入端集成短脉冲/噪声抑制滤波器
- 针对高边和低边的独立欠压锁定
- 施密特触发输入，有滞后效应
- 3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容
- 最大供电电压为25 V
- 输出与输入同相
- 适用于梯形和正弦电机控制
- 符合RoHS规范、占板空间很小的DSO-8封装
优势
- 经优化的低di/dt输出级，因而具有更好的抗噪性能
- 集成自举二极管，可降低BOM成本
- -70 V负VS提高可靠性和稳健性
- 防闭锁性能提高可靠性
- 灵活、占板空间小且易于使用的器件
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