Gate Driver ICs for GaN HEMTs up to 200 V

综述

与GaN SG HEMT完美匹配的EiceDRIVER™栅极驱动器IC

宽禁带半导体允许更高的电场强度，因此，与硅替代品相比，高压开关的体积明显更小。因此，基于氮化镓的功率器件可以在不影响效率的情况下以高开关频率运行。许多增强模式的GaN HEMT利用肖特基型栅极来模拟典型的绝缘MOSFET栅极，如下图所示。肖特基栅极被背对背二极管 "半隔离"，防止大量电流流动，以模拟传统MOSFET栅极。

氮化镓肖特基门(SG)HEMT可由任何与所需驱动电压(通常为5V)兼容的栅极驱动器驱动。然而，有几个关键特征可使开关的性能达到最高水平，包括以下内容。

  • 源极和汇极驱动电流的快速开启和关闭斜率，以及低上拉和下拉电阻
  • 具有与优化的GaN PCB布局相匹配的脚印和引脚布局的低电感封装
  • 在高dv/dt下具有强大的共模电压抑制能力，支持最快的开关和最低的开关损耗
  • 缓解高dv/dt期间的误开通的功能，如主动米勒箝位和负压关断
  • 传播延迟的公差很小，可以缩短死区时间

高效率和高功率密度是现代电力电子系统的关键要求，而最先进的GaN HEMT使这些系统得以实现。正确的栅极驱动器IC可以帮助设计者在其基于GaN的系统中实现最佳性能，同时将研发工作和相关成本降至最低。英飞凌科技提供广泛的EiceDRIVER™栅极驱动器IC，这些IC针对驱动GaN SG HEMT进行了优化，其战略设计旨在为目标应用提供同类最佳的系统解决方案，例如：。

  • 电动汽车
  • 无绳电动工具和园艺工具
  • 多旋翼飞机和无人机
  • 工业伺服电机驱动器
  • 机器人技术，包括移动机器人、服务机器人和协同机器人
  • 用于数据中心和电信基础设施的DCDC转换器
  • 光伏优化器
  • USB-C充电器
  • 无线电力传输
  • 电池管理系统和UPS
  • LED照明
  • 音频放大器

在此了解更多关于我们的EiceDRIVER™ 1EDN71x6x HS 200 V单通道栅极驱动器IC系列的信息。

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