EiceDRIVER™ 2EDN Gate Driver for MOSFETs
可靠、冷却性能卓越而快速的双通道低边4A/5A驱动芯片
双通道MOSFET驱动IC是数字控制芯片和强大的MOSFET及氮化镓开关器件之间的关键环节。MOSFET驱动芯片能提供高系统级效率、优良的功率密度和一致的系统稳健性。
2EDN系列:快速、精确、稳定又兼容
- 适应快速MOSFET和氮化镓开关的压摆率短至5ns,传播延时精确到10ns,推动高效率开关电源
- 双5A通道,多种配置选项。1ns通道间精确度允许并联使用双通道
- 工业标准封装和引脚,易于系统设计升级
Watch this video to find the latest solutions to drive high voltage SiC MOSFETs and GaN HEMTs using dedicated EiceDRIVER™ single-channel and dual-channel gate driver ICs as shown in the EVAL_2EDB_HB_GaN, KIT_1EDB_AUX_GaN, and KIT_1EDB_AUX_SiC demo boards. These small demo kits have a configurable isolated bias supply that allows to generate different positive and negative voltage levels with 1% voltage regulation and power levels up to 1.5 W. Speed up your design cycle and reduce time to market with these simple to use building blocks.
全新 EiceDRIVER™ 2EDN Gen 2 系列包括稳定可靠的双通道低边 4 A/5 A 栅极驱动器 IC。产品不仅适用于高速功率 MOSFET,还可用于宽禁带 (WBG) 材料的开关器件。此类栅极驱动器助力工程师满足不同封装尺寸的设计要求,确保系统在进入欠压锁定 (UVLO) 状态前安全关断,提升 UVLO 响应速度,进而实现稳定的系统运行,增强抗干扰能力
在本次网络研讨会中,我们将介绍具备相同优势的精选栅极驱动器 IC 产品组合。
双通道 MOSFET 栅极驱动 IC 是控制 IC 与高性能 MOSFET 以及 GaN 开关器件之间的关键环节。MOSFET 驱动 IC 可实现系统级高效率、出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。视频第 1 部分
双通道 MOSFET 栅极驱动 IC 是控制 IC 与高性能 MOSFET 和 GaN 开关器件之间的关键环节。MOSFET 驱动 IC 可实现系统级高效率、出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。视频第 2 部分
英飞凌针对 MOSFET 推出了一系列不同型号的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器。1EDN 单通道 MOSFET 栅极驱动 IC 是连接控制 IC、高性能 MOSFET 和 GaN 开关器件的关键要素。英飞凌还提供 2EDN 双通道 MOSFET 驱动器 IC。此外,具备真差分输入的单通道非隔离栅极驱动器称为 1EDN TDI。而栅极驱动 IC 系列双通道隔离产品 2EDi 则旨在高性能 CoolMOS™、CoolSiC™ 和 OptiMOS™ MOSFET 半桥架构中实现稳定运行。