高边和低边驱动器
用于控制 MOSFET 和 IGBT 的高边和低边栅极驱动器 IC
我们的栅极驱动器 IC 解决方案是专家的首选。我们提供具有两个非互锁通道的高边和低边栅极驱动器,包括新型 650 V 高边和低边silicon on insulator (SOI)栅极驱动器 IC,有大电流(2.5 A)和小电流(0.7 A)两种选择。这些栅极驱动器具有出色的坚固性和抗噪能力,非常适合电机驱动、家用电器、SMPS、电池供电应用和大功率照明。
高边和低边驱动器介绍
我们的顶级栅极驱动器集成电路解决方案专为精确控制 MOSFET 和 IGBT 的高边和低边而设计。我们的栅极驱动器集成电路深受业内专家信赖,具有无与伦比的性能和可靠性,是要求严格应用的首选。高边和低边栅极驱动器是电力电子系统中用于控制 MOSFET 和 IGBT 的重要组件。高边驱动器负责驱动功率器件的上开关(高侧),而低边驱动器控制下开关(低侧)。这些驱动器可确保功率器件的精确同步切换,从而实现高效的功率转换和电机控制。
适用于各种应用的高边和低边驱动器
我们提供具有两个非互锁通道的高边和低边栅极驱动器,可确保无缝同步运行。但这还不是全部,介绍我们的最新创新:650 V 高边和低边Silicon on Insulator (SOI) 栅极驱动器集成电路。这些栅极驱动器具有大电流 (2.5 A) 和小电流 (0.7 A) 两种选择,可提供卓越的多功能性和性能。我们的栅极驱动器具有出色的坚固性和抗噪能力,非常适合电机驱动、家用电器、开关电源 (SMPS)、电池供电设备和大功率照明系统等广泛应用。使用我们的栅极驱动器,您可以实现精确控制、高效运行和可靠性能,使您的应用在任何环境下都能表现出色。
确保安全高效运行的杰出功能
选择我们的栅极驱动器集成电路,是因为它们具有出色的特性,包括击穿保护、高电流和低电流选项以及卓越的坚固性。凭借出色的抗噪能力,这些栅极驱动器可确保为您的关键应用提供可靠和优化的性能。高压侧和低压侧栅极驱动器共同提供必要的控制和保护功能,确保功率器件安全高效地运行。它们在电机驱动、电源、变频器等多种应用中发挥着重要作用,实现了电力电子系统的精确开关和控制。请相信专家的选择--选择我们的栅极驱动器集成电路,将您的设计提升到新的卓越高度。
This training features how the level-shift gate drivers work, what are negative voltage transient and how they affect level-shift gate drivers. In addition you will learn about the technology difference between Junction isolation and Infineon’s Silicon-On-Insulator technology.
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
We offer a large portfolio of level shift high voltage gate drivers – silicon-on-insulator (SOI) and junction isolated (JI) technologies. Learn about the advantages of Infineon SOI gate driver: integrated bootstrap diode, Low level-shift losses, saving space and cost, and negative VS robustness.