高侧栅极驱动器 │GaN EiceDRIVER™
使用市场上最为强大、高效的单通道隔离式 EiceDRIVER™ GaN IC 驱动高压氮化镓 (GaN) HEMT
适用于高压氮化镓开关的单通道隔离式 EiceDRIVER™ GaN 栅极驱动器 IC 系列是专为驱动英飞凌 CoolGaN™ 600V 增强型 (e-mode) HEMT 而研发的，其在提高系统效率与功率密度的同时，还可增强稳健性并降低成本。
在使用我司的定制型 EiceDRIVER™ GaN 栅极驱动器 IC 进行设计时，其主要优势在于灌电流和拉电流下驱动开关的导通/关断压摆率较高。此类栅极驱动器具备较强的共模瞬态抗扰度 (CMTI) 稳健性，可实现极快的开关速度。
高边 EiceDRIVER™ GaN 栅极驱动器将确保高压氮化镓开关的运行稳健高效，同时可最大限度地降低研发投入，缩短产品上市时间。
英飞凌的隔离式 EiceDRIVER™ GaN 栅极驱动器 IC 可提供负 VGS 电压，从而在开关瞬态期间实现安全关断。此外，栅极驱动器 IC 还可避免 GaN 开关出现误导通，即便是首脉冲或突发模式操作后也是如此。
由于集成了电气隔离功能，英飞凌 EiceDRIVER™ GaN 栅极驱动器 IC 尤为适合驱动硬开关半桥应用中的高压 GaN HEMT，如图腾柱 PFC 拓扑。若谐振 LLC 次级侧控制中的 PWM 信号必须越过安全隔离势垒，那么增强型隔离功能的 1EDS5663H 就是合适之选。
英飞凌 EiceDRIVER™ GaN 1EDF5673K、1EDF5673F 和 1EDS5663H 栅极驱动器 IC 是驱动氮化镓 CoolGaN™ 600V 增强型 HEMT 的绝佳选择。
- 驱动拉灌电流可实现较高的 GaN 开关导通/关断压摆率
- 提供负 VGS 电压，从而在开关瞬态期间实现安全关断，即便是首脉冲或进行突发模式操作后也是如此
- 可配置的恒定 GaN 开关压摆率，适用于多种开关频率和占空比，进而实现稳健且高效的 GaN 运行，同时还可缩短产品上市时间
- 集成电气隔离功能
- 可在诸如图腾柱 PFC 拓扑等硬开关半桥应用中驱动高压 GaN 器件
- 若谐振 LLC 拓扑次级侧控制中的 PWM 信号必须越过安全隔离势垒，则须使用本功能
低阻抗输出：
拉电流：0.85Ω
灌电流：0.35Ω
单通道电气隔离：
功能隔离：
- VIO = 1500VDC
- VIOWM = 510Vrms（16 引脚 DSO 150 mil 封装）
- VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5)
加强隔离：
- VIOTM = 8000Vpk（16 引脚 DSO 300 mil 封装）
(VDE 0884-10) - VIOWM = 1420VDC
CMTI 最小值： 200V/ns
时长：
最小输出脉冲宽度：18ns
传播延迟精度：-6ns/+7ns
关键用例
- 图腾柱 PFC
- Vienna 整流器
- 多级拓扑
- 谐振 LLC
高功率开关电源应用示例
A quick look at Infineon’s evaluation board, EVAL_2EDB_HB_GAN. This board saves the user from having to design their own gate driver and power circuit to evaluate gallium nitride transistors. A simple GaN half-bridge with dedicated GaN driver ICs contributes to the design of this board and help deliver an easy setup and use environment for the end user.
CoolGaN™ the new power paradigm. Ultimate efficiency and reliability. This is what Infineon’s gallium nitride CoolGaN™ e-mode HEMTs offer to you
Hubert Baierl, Senior Product Marketing, introduces Infineon's dedicated single-channel isolated EiceDRIVER™ GaN family.
This 3 part video series shows of the 600 V gallium nitride (GaN) half-bridge evaluation board, which enables easy, rapid setup and test of Infineon’s CoolGaN™ transistors.
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