IRS2007M
综述
具备VCC和VBS UVLO功能的200 V半桥栅极驱动器IC，确保可靠的启动操作
特征描述
- 典型栅极电流I O+/ I O- 290 mA / 600 mA
- 栅极驱动器可为每个通道提供高达20V的电压
- VCC和VBS欠压锁定
- 兼容3.3 V、5 V、15 V 输入逻辑
- 可承受负瞬态电压
- 专门用于自举电源
- 防交叉传导逻辑
- 各通道都具有匹配的传播延时
- 传播延时：160/150 ns
- 内部设定的死区时间
- 高边输出与HIN输入同相
- 低边输出与LIN输入异相
- 工作温度范围：-40°C至125°C
- 2 kV HBM ESD
- 符合RoHS标准
优势
- 封装节省空间、物料清单成本降低、具备更简单设计和更低成本的更小PCB
- 异常操作保护，确保启动操作可靠
- 直观易用的设计
- 改进能效
- 快速可靠开关
多种型号
IRS2007是一款 200 V电平转换结隔离MOSFET 驱动器， 具有相依的高边和低边参考输出通道。专有的HVIC和防闩锁CMOS技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具备专门设计的高脉冲电流缓冲级，旨在尽可能降低驱动器跨导。浮动通道可用于驱动高边配置中的N通道功率MOSFET，其工作电压高达200 V。传播延迟相互匹配，HVIC用于高频应用更简便。
IRS2005S/M: 200 V高边和低边栅极驱动IC，具备680/150 ns传播延迟。替代IRS2001S。
IRS2007S/M: 200 V半桥栅极驱动IC，具备160/150 ns传播延迟。替代IRS2003S。
IRS2008S/M: 200 V半桥栅极驱动IC，具备关断输入引脚，160/150 ns传播延迟。替代IRS2004S。
面向步进电机的评估板现已供货: EVAL-PS-IRS200X
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