绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器

英飞凌绝缘体上硅(SOI)技术是一种高压的电平转换技术，具有许多独一无二和无与伦比的明显优势，包括集成自举二极管(BSD)，以及业界一流的抗负瞬态电压尖峰的能力。每个晶体管都被埋入的二氧化硅隔开，从而可以有效避免易造成闩锁的寄生双极晶体管。该技术还可降低电平转换功率损耗，从而最大限度降低器件开关的功耗。这一先进工艺可打造出具有技术强化优势的单片式高压及低压电路 结构。

最新推出2ED218x - 高电流650 V，2.5 A半桥SOI栅极驱动器系列和2ED210x - 低电流650 V，0.7 A半桥 SOI栅极驱动器系列。两个产品系列均包含DSO-8和DSO-14封装选项。

每个晶体管都由内部的二氧化硅隔离，从而消除了导致锁存的寄生双极晶体管。该技术还能降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。这种先进的工艺可实现单片高压和低压电路结构，并具有增强型技术优势，包括 2ED218x -- 大电流 650 V、2.5 A、半桥 SOI 栅极驱动器系列，以及 2ED210x -- 小电流 650 V、0.7 A、半桥 SOI 栅极驱动器系列。这两个产品系列都包括两种封装：DSO-8 和 DSO-14。

我们的 SOI 技术的主要优点是具有同类最佳的抗负瞬态电压能力，，可防止不稳定运行和闩锁（latch-up），同时提高可靠性。低欧姆集成自举二极管 (BSD) 具有最低的反向恢复和正向损耗，从而提高了效率、加快了开关速度、降低了温度并提高了可靠性。最小的电平转换损耗可提高驱动器效率并允许灵活的外壳设计，而集成的输入滤波器可增强抗噪性，每种电压设计等级200 V、600 V、650 V和1200 V耐受电压均有工作裕量。

当今的大功率开关逆变器和驱动器承载着很大的负载电流。VS 脚上的电压摆动不会停在负直流母线电平上。由于电源电路中的寄生电感以及从芯片到 PCB 线路的寄生电感，其电压摆动会低于负直流母线电平。这种下冲电压称为"负瞬态电压"。采用英飞凌 SOI 技术的 EiceDRIVER™ 高压电平转换栅极驱动器产品具有业界最佳的运行稳健性。考虑到 SOI 栅极驱动器（6ED2230S12T）在 VBS = 15 V 时的安全工作线，脉冲宽度高达 1000 ns，产品不会出现不必要的功能异常或对 IC 造成永久性损坏。

由于其简单性和低成本，自举电源是向高边驱动电路供电的最常用技术之一。

自举电源由自举二极管和电容组成。电平转换栅极驱动器的浮动通道通常是为自举电路而设计的。英飞凌 SOI 驱动器集成了出色的超快速自举二极管。RBS ≤40 Ω 的低二极管电阻可实现较宽的工作范围。

具有此功能的英飞凌 SOI 驱动器可以驱动更大的 IGBT，而不会产生自热的风险，最大限度地减少了 BOM 数量，并降低了系统成本。

如今的高功率开关逆变器及驱动都携带很大的负载电流。VS引脚上的电压摆动不会只停留在负直流母线的电平上；相反，因为功率器件中的寄生电感及PCB走线中的寄生电感，它会摆动到负直流母线的电平以下。

采用英飞凌SOI技术的EiceDRIVER™高压电平转换门极驱动芯片产品，拥有业界一流的运行稳定性。下图显示了VBS = 15 V和脉宽高达1000 ns时6ED2230S12T（即将发布）的安全运行线。在绿色区域内，产品不会出现功能异常，亦不会对集成电路造成永久性损害。