三相驱动芯片
三相栅极驱动芯片，用于驱动功率器件，如MOSFET或IGBT
我们的栅极驱动芯片解决方案堪称行家之选。我们提供三相栅极驱动芯片，六个通道在一个封装里，拥有三个独立的半桥。我们还提供采用先进 英飞凌绝缘体上硅 (SOI)技术的三相栅极驱动芯片。这些栅极驱动器的强度和抗扰度极佳，非常适用于电机驱动、家用电器和电池供电的应用。
通过汽车认证的三相栅极驱动芯片也供您选用。
三相驱动器简介
英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发，推出了一系列栅极驱动器，可与硅和宽禁带功率器件（如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT）配合使用。我们提供卓越的产品系列，包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、200 V、500-700 V、1200 V 电平转换栅极驱动器和非隔离低边驱动器。
我们的产品组合涵盖各种拓扑、电压等级、隔离级别、保护功能和封装。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和功能。最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要，无论它们是分立式开关还是电源模块。
关于三相驱动器的详细信息
我们尖端的三相栅极驱动器解决方案是驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率器件的最佳选择。我们的栅极驱动器的核心是创新的绝缘体上硅 (SOI) 技术，该技术经过精心打造，具有卓越的坚固性和抗噪能力。即使在最具挑战性的环境中，我们的栅极驱动器也能发挥最佳性能，提供无与伦比的可靠性和效率。
关于三相驱动器的其他信息
我们提供全面的栅极驱动器产品系列。我们的栅极驱动器经过精心设计，可轻松满足您的特定应用要求。我们的栅极驱动器具有多种电压等级，包括 200 V、500-700 V 和 1200 V，使您能够根据自己的电源需求量身定制完美的解决方案。我们的专家团队花费了数十年的时间来完善硅和宽禁带功率器件的栅极驱动电路。因此，我们的栅极驱动器能够充分发挥这些先进开关系列的潜力，使功率电子器件能达到最高的效率和性能。
You will have a glimpse of the different gate driver technologies available at Infineon and their benefits.
For a better understanding we will take a look at the optimization of external gate resistors to drive MOSFETs in a given application.
With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
We offer a large portfolio of level shift high voltage gate drivers – silicon-on-insulator (SOI) and junction isolated (JI) technologies. Learn about the advantages of Infineon SOI gate driver: integrated bootstrap diode, Low level-shift losses, saving space and cost, and negative VS robustness.
This training features how the level-shift gate drivers work, what are negative voltage transient and how they affect level-shift gate drivers. In addition you will learn about the technology difference between Junction isolation and Infineon’s Silicon-On-Insulator technology.
