600V/1200V HighSpeed 3 H3 IGBTs

综述

分立式 IGBT 在各种拓扑结构中打破开关速度极限

600 V和1200 V HighSpeed3 H3 IGBT系列是硬开关和软开关拓扑结构的理想选择。该系列为开关损耗树立了新标杆，推荐用于开关频率为20 kHz以上的拓扑。超短尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争对手低25%）是该系列的主要特性，将该系列用在您的设计中，最高可提升15%的效率。该系列不仅做到了低开关损耗，而且导通损耗也很低。这得益于著名的英飞凌TRENCHSTOP™技术，该技术可以实现极低的导通损耗 Vce(sat)。此外，也对duo pack的续流二极管进行了优化，可在实现快速恢复的同时维持高软度。这些优化让我们的产品具备了卓越的高速开关性能、坚固性和抗电磁干扰能力。搭配HighSpeed 3 H3 IGBT系列，您就拥有了市面上最好的设备。

英飞凌HighSpeed3 H3 IGBT系列是高频开关应用的理想选择，在开关损耗和能效方面表现卓越。

产品
亮点

1200 V分立式IGBT - TRENCHSTOP™IGBT6

HighSpeed3 IGBT技术是成熟的IGBT技术，几年前就在市场上推出了。为了满足客户对高效率和低功率损耗的要求，英飞凌开发了新一代1200V 分立式 IGBT-TrenchStop ™ IGBT6。1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 6 使用方便，即插即用，可以替换前代1200 V HighSpeed3 IGBT系列。用S6 TRENCHSTOP™IGBT6 系列直接替换1200 V HighSpeed3 IGBT系列，可实现0.15%的效率提升，而无需更改电路板设计。

The 1200 V IGBT generation TRENCHSTOP™ IGBT 6 is released in 2 product families – low conduction losses optimized S6 series and improved switching losses H6 series.
特性 优势 应用
  • 专门设计，用于替代在开关频率低于70kHz的应用中的平面式 MOSFET
  • 高效率，低开关损耗
  • 借助英飞凌卓越的 TRENCHSTOP™技术，实现了出色的 Vce （sat）
  • 快速开关行为，低电磁干扰辐射
  • 针对目标应用优化的二极管，意味着进一步改善开关损耗
  • 在保持出色的开关特性的同时可以实现低门极电阻选择（低至 5Ω）
  • 具备短路能力
  • 最高结温Tjmax可达 175°C
  • 封装中可带或可不带续流二极管，增加了设计自由度
  • 出色的性价比
  • 低开关和通态损耗
  • 非常低的EMI特性
  • 使用较小的栅极电阻来减少延迟时间和电压过冲
  • 更小的芯片尺寸->更小的封装
  • 一流的 IGBT 效率和EMI特性

 

 

 

 

 

 

 

 

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