600V/1200V TRENCHSTOP™ Series IGBTs

综述

600 V/1200 V TRENCHSTOP™, TRENCHSTOP™ 2 and TRENCHSTOP™ Performance IGBTs

通过应用沟道顶部单元（trench top-cell）和场截止（field stop）技术，英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT系列显著改善了IGBT器件的动态和静态性能。IGBT与软恢复发射极控制二极管的结合则进一步将导通损耗降到了最低。该系列IGBT平衡了开关损耗和导通损耗，从而达到了最高效率。

产品
亮点

600V和1200V TRENCHSTOP™

特点 优势 应用
  • 最低的饱和压降V ce(sat) ，以降低传导损耗
  • 低开关损耗
  • 由于器件在饱和压降V ce(sat)下具有正温度系数， 因此容易实现并行切换功能
  • 反向并联在IGBT两端的发射极控制续流二极管软恢复能力强且速度快
  • 耐用，且温度特性稳定
  • 低电磁辐射
  • 低门极电荷 
  • 参数分布紧凑
  • 最高能效 - 低导通损耗和开关损耗
  • 提供600V和1200V两种规格，便于设计应用
  • 可靠性高

 

新型600V TRENCHSTOP™ Performance IGBT

600V TRENCHSTOP™ Performance 系列提供一种新型的高能效、价格极具竞争力的IGBT，在导通能量和关断能量之间做出了最佳权衡，性能稳健且电磁干扰低。该器件能够帮助多种应用实现更高功效，包括：电机控制，空调压缩机，空调压缩机，HVAC（暖通空调）电机驱动，UPS（不间断电源），太阳能功率变换器以及其它任何工作在硬开关拓扑且切换频率低于30kHz的功率转换应用。

600V TRENCHSTOP™ Performance产品

特点 优势

600V TRENCHSTOP™ Performance是新型的中速开关IGBT，短路耐受时间为5微秒。主要特点：

  • 性能更强：开关损耗更低，二极管恢复损耗更低
  • 低速dV / dt开关（<5V / ns），便于设计
  • 5µs 短路耐受时间
  • 低电磁干扰
  • 价格极具竞争力
 新型TRENCHSTOP™ Performance能够1:1替换其前一代TRENCHSTOP™，并具有： 
  • 更低的总开关损耗（Ets），即效率更高
    • 开关频率为8kHz时，节约7%开关损耗
    • 开关频率为15kHz时，节约11%开关损耗
  • 低速dV/dt切换（< 5 V/ns）
  • 低EMI
  • 具有低电磁干扰的电路设计得到改进，提高了器件可靠性

 

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