IKA08N65H5

综述

650 V, 8 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package

高速 650 V、8 A 硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 可与 TO-220 封装中 RAPID 1 快速和软反并联二极管共同封装，被定义为“同类最佳”IGBT。

特征描述

  • 650V 击穿电压
  • 对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列
  • Qg 系数降低 2.5 倍
  • 开关损耗系数降低 2 倍
  • V CE (sat) 减少了 200mV
  • 采用英飞凌极速硅二极管技术
  • 低 C OES/E OSS
  • 温和正温度系数 V CE (sat)
  • Vf 的温度稳定

优势

  • 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性
  • 母线电压可提升 50V，同时不影响可靠性
  • 更高的功率密度设计

潜在应用

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