IKB20N65EH5

综述

650 V 20 A IGBT， 具有反并联二极管，采用 TO263 封装

采用 D2Pak(TO263)封装的 650 V，20 A 高速开关 TRENCHSTOP™ 5 采用全额定电流 Rapid 1 反并联二极管，在硬开关应用方面提供无与伦比的效率，重新定义“一流” IGBT。该新系列是 IGBT 创新的一个重大突破，以满足市场未来对高效率的需求。 

特征描述

  • 650 V 击穿电压

对比英飞凌“HighSpeed 3”系列

  • Qg 系数降低 2.5 倍
  • 开关损耗系数降低 2 倍
  • VCEsat 减少 200 mV
  • 采用英飞凌极速硅二极管技术
  • 低 C OES/E OSS
  • 温和正温度系数 VCEsat
  • Vf的温度稳定性

优势

  • 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，
    从而提高设备可靠性
  • 母线电压可提升 50 V，同时不影响
    可靠性
  • 更高的功率密度设计
图表
支持