IKB40N65EH5
综述
英飞凌 650 V 40 A 高速开关 TRENCHSTOP™5，与全额定电流 Rapid 1 防并联二极管联合封装到 D2Pak (TO263) 封装，为硬开关应用提供极高效率，重新定义“同类最佳”IGBT。该新系列是 IGBT 创新的一个重大突破，以满足市场未来对高效率的需求。
特征描述
- 650 V 击穿电压
对比英飞凌 HighSpeed 3 系列
- Qg 系数低 2.5 倍
- 开关损耗系数降低 2 倍
- VCEsat 降低 200 mV
- 采用英飞凌极速硅二极管技术
- COES/EOSS 低
- 温和正温度系数 VCEsat
- Vf 温度稳定
优势
- 同类最佳效率，降低结温和外壳温度，器件可靠性更高
- 母线电压可提升 50 V，同时不影响可靠性
- 更高的功率密度设计
图表
支持
