IKQ40N120CH3
综述
1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS package
High Speed 1200 V, 40 A hard-switching IGBT3 with soft, fast anti-parallel emitter controlled diode in TO-247PLUS package.
特征描述
- 高功率密度 - 高达75 A 1200 V IGBT，与75A 二极管共同封装在TO-247中
- 与TO-247 3引脚相比，R th(jh) 降低了20％
- 4.25 mm 的扩展集电器 - 发射极爬电距离
- 由于封装的正面完全密封，导致爬电延长
优势
- 更高的系统功率密度Ic增加，保持相同的系统热性能
- TO-247PLUS 相比于 TO-247，其热阻 Rth（jh）较低，散热能力也提高了约15％
- 器件更可靠，更长寿
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