IKQ50N120CT2

综述

1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 PLUS package

Hard-switching 1200 V, 50 A TRENCHSTOP™ Performance IGBT2 with soft, fast recovery full current rated anti-parallel emitter controlled diode in TO-247PLUS package for higher current capability. 

特征描述

  • 高功率密度 - 高达75 A 1200 V IGBT，与75A 二极管共同封装在TO-247中
  • 与TO-247 3引脚相比，R th(jh) 降低了20％
  • 4.25 mm 的扩展集电器 - 发射极爬电距离
  • 由于封装的正面完全密封，导致爬电延长

优势

  • 更高的系统功率密度Ic增加，保持相同的系统热性能
  • TO-247PLUS 相比于 TO-247，其热阻 Rth（jh）较低，散热能力也提高了约15％
  • 器件更可靠，更长寿
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