IKW40N120H3
综述
1200V 40A IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
高速 1200 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT4，采用TO-247封装的续流二极管装，提供开关和传导损耗之间的折中方案。此产品系列的主要特征是类似 MOSFET 的关断开关行为，实现了低关断损耗。
特征描述
- 专门设计用于替代在开关频率低于70kHz的应用中的平面式 MOSFET。
- 高效率，低开关损耗
- 借助英飞凌卓越的 TRENCHSTOP™ 技术，实现了出色的 VCEsat 行为。
- 快速开关行为，低电磁干扰辐射
- 针对目标应用的优化二极管，意味着进一步改善开关损耗
- 在保持出色的开关行为的同时可以实现低栅极电荷选择（低至 5Ω）
- 短路容量
- 提供最高175°C的 Tj
- 可带或可不带续流二极管的封装，增加了设计自由度
优势
- 低开关和传导损耗
- 非常好的电磁干扰行为
- 可以与小型栅极电阻一起使用，以减少延迟时间和电压过冲。
- 高电流密度
- 一流的 1200 V IGBT 效率和电磁干扰行为
潜在应用
图表
视频
支持
