IKW40N120T2

综述

1200 V, 40 A IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装

1200 V、40 A 硬开关TRENCHSTOP™ IGBT4，采用续流二极管在 TO247 中封装，由于结合了沟槽单元和场终止概念，显著提高了静态和动态性能。IGBT 和软恢复发射极控制二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于开关和传导损耗间可实现折衷，因此可实现高效率。

特征描述

  • 更低的传导损耗实现较低的 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 由于 VCEsat 中的正温度系数，因此易于进行平行开关
  • 非常软且快速恢复的反平行发射极控制二极管
  • 具有高鲁棒性、温度稳定的行为
  • 低电磁干扰辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常严格的参数分配

优势

  • 高效率 - 得益于低导通和低开关损耗
  • 600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计的高灵活性
  • 器件可靠性高
图表
支持