TO-247 4pin
开尔文发射极封装配置
在标准通孔封装中,例如 TO-220 封装或 TO-247 封装,每个引线焊盘都类似一个寄生电感。TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子,绕过栅极控制回路上的发射极引线电感,从而提高 IGBT 的开关速度并降低开关能量。
具有开尔文发射极的 TO-247 4 引脚封装
具有开尔文发射极的 TO-247 4 引脚封装能够实现更快的换向,从而改善 IGBT 的开关行为。与标准 TO-247 相比,动态损耗降低了 20%,从而提高整个系统的效率,使 IGBT 能够在较低的温度下工作。
IGBT 的开关速度越快,TO-247 4 引脚带来的好处就越多。
探索产品系列
适用于 1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 4 引脚封装
带 75 A 二极管,采用 TO-247 封装的 IGBT 总开关损耗降低 20% 以上,最高电流密度高达 75A 的 1200 V,Rth(jh) 降低 20%,散热能力提高 15%,采用快速卡扣式组装。
采用 4 引脚封装型号,效率更高,开关损耗更低
TO-247PLUS 4 引脚封装的一个特殊特性是采用 4 引脚连接到驱动器 IC。第 4 根引脚消除了栅极控制回路上发射极引脚电感的影响,从而使 IGBT 能够更快地响应驱动 IC 信号。IGBT 更快速的响应降低了开关能量损耗,并且能够以更快的速度打开/关断开关。采用 4 引脚封装代替 3 引脚,使总开关损耗降低超过 20%。
更高的效率增加功率密度。更低的成本。
更高的效率和更低的成本是下一代设计的共性关键要求。但是,是否能以更低的成本实现更高的系统性能?
由于在逆变器电路中的功率设备存在较大的功率损耗,功率开关的低损耗或高效率直接影响系统的功率输出。系统中的能量损耗越少,就会有更多能量转移到输出功率,系统功率密度也相应增加。能量损耗越少,就会有更多能量转移到输出功率,输出功率成本 kW/€ 越低。
特性 | 优势 |
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使用 1200 V TO-247PLUS 4 引脚,实现更高的设计灵活性和更优的系统性能!
采用 TO-247 4 引脚开尔文发射极封装的第五代 TRENCHSTOP™
当您将 TO-247 4 引脚开尔文发射极封装与第五代 TRENCHSTOP™ 分立 IGBT 相结合时,会发生什么?
与采用标准 TO-247 封装的第五代 TRENCHSTOP™ 分立 IGBT 相比,IGBT 性能能够降低 20% 的开关损耗。
“提高效率。增加功率密度!降低成本”。听上去很熟悉?
我们不断继续着对创新和改进成本的不懈追求。但是,解决方案在哪里?这正是英飞凌公司的新型 TRENCHSTOP™ 分立 IGBT 技术与全新 TO-247 4 引脚开尔文发射极封装相结合的契机。它通过采用第 4 根发射极感应引脚,使引线电感降低 20%。同时,在全负荷条件下,它可以降低 20% 的开关损耗。
此外,我们的客户报告说,在 PFC 和逆变器阶段结合使用第五代 TRENCHSTOP™ 分立 IGBT 与 TO-247 4 引脚封装,系统效率提高了整整 1%。我们已经打破了 97% 的系统效率壁垒,在是行业内首家做到这一点的企业。此外,更高的效率和高速开关能力同时也提高了功率密度。在高达 100 kHz 的频率下运行,与最接近的竞争对手的 IGBT 相比较,可以大大减小无源元件尺寸,且功率密度可以增加一倍。这既节省资金又节省空间。
拓展您的性能范围,以应对您正面面对的挑战,使局面得到缓解。
特性 | 优势 |
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