TO-247PLUS
采用 TO-247PLUS 封装，具有高电流密度的 IGBT
与二极管联合封装，采用 TO-247 封装，最高电流密度高达 75A 的 1200 V IGBT 或 120 A 的 600 V IGBT，Rth(jh) 降低 20%，散热能力提高 15%，采用快速卡扣式组装。
TO-247 与 TO-247PLUS 对比
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采用 TO-247PLUS 封装的 1200 V IGBT
减少（在相同 Ic 中）平行功率开关的数量
由于有源芯片面积增大，新型 TO-247PLUS 封装可以支持带 75 A 二极管的高达 75 A 的 IGBT。采用 TO-247-3 封装的 3 片 25 A 芯片可以用采用 TO-247PLUS 封装的 1 片 75 A 芯片代替。并行越少，IGBT 控制越简单，系统可靠性更高，设计越紧凑，物料成本 (BOM) 更低。
可用设计易于升级，实现更高的功率输出（Ic 提高）。
TO-247PLUS-3 较高的电流密度实现了以 75 A IGBT 一对一代替 40 A IGBT 的目的，同时保持相同的尺寸和热状态。英飞凌的内部实验室试验表明，在 B6 驱动拓扑中，以采用 TO-247PLUS 封装的 75 A IGBT 代替采用 TO-247-3 封装的 40 A IGBT，输出功率提升了 40%。
现有设计易于升级，可实现更高的功率。重新设计可轻松完成，研发成本低，重新设计速度快。
改进的系统热量管理 - （在相同的 IC中）降低 Tj 和 Tc
TO-247PLUS 封装背面热焊盘面积增大 35%，从而使封装 Rth 降低 20%，散热能力提高 15%。使用采用 TO-247PLUS 封装的具有相同电流的 40 A IGBT 代替采用 TO-247-3 封装的 40 A IGBT，可以降低结温 Tj。更低的结温 Tj 降低了 IGBT 上的热应力，从而允许使用更小面积的散热片或功率较小的冷却风扇，从而减小系统尺寸，物料成本 (BOM) 更低。
采用 TO-247PLUS 封装，最大限度地提高您设计的灵活性！
TO-247PLUS 应用使用
| 系统标称电流 Ic | 可用的解决方案 | 采用 TO-247PLUS 封装的可用的解决方案 | 替代率 | 采用 TO-247PLUS-3 封装的优势 |
| 增加功率密度 - 提高功率输出 | ||||
| 40 A → 75 A | IKW40N120T2 | IKQ75N120CT2 | 1:1 |
|
| IKW40N120H3 | IKQ75N120CH3 | 1:1 | ||
| 减少并行，保持相同的系统电流 | ||||
| 25 A → 25 A | 3 x IKW25N120T2 | 1 x IKQ75N120CT2 | 3:1 |
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| 25 A → 25 A | 2 x IKW25N120T2 | 1 x IKQ50N120CT2 | 2:1 | |
| 40 A → 40 A | 2 x IKW40N120T2 | 1 x IKQ75N120CT2 | 2:1 | |
| 改进的热量管理，降低 Tj | ||||
| 40 A → 40 A | IKW40N120T2 | IKQ40N120CT2 | 1:1 |
|
| IKW40N120H3 | IKQ40N120CH3 | 1:1 | ||
采用 TO-247PLUS 封装的 600 V IGBT
100 A 和 120 A IGBT 与采用 JEDEC 标准 TO-247PLUS 封装的全额定二极管联合封装具有哪些优势？
优势众多，取决于需求 - 功率输出或功率密度增加，尺寸和成本降低，更好的热性能，更高的可靠性和更长的使用寿命。
可用设计易于升级，实现更高的功率输出。
使用 120 A 器件一对一代替 75 A IGBT，输出功率提高 40%，同时保持相同的尺寸和热状态。
提高系统功率密度，减小 PCB 尺寸，降低成本。
在确保系统标称电流 Ic 不变的情况下，可以使用采用 TO-247PLUS 封装的 2 片 120 A IGBT 代替采用 TO-247 封装的 3 片 75 A IGBT。
改进热状态，实现 IGBT 更高的可靠性和更长的使用寿命。
TO-247PLUS 热焊盘面积增大 35%，有助于提高 10%-15% 的散热能力，从而实现更低的结温 Tj。
使用采用 TO-247PLUS 封装的 TRENCHSTOP™，最大限度地提高您设计的灵活性！
