TRENCHSTOP™ 5 F5

综述

高效款型——性能优化

较当前领先的解决方案，英飞凌 650V TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT 系列可显著降低开关损耗，堪称 IGBT 与 MOSFET 之间的桥梁。

目标拓扑为升压级、PFC (AC-DC) 级和高压 DC-DC 拓扑，通常用于不间断电源 (UPS)，工业加热和焊接和开关电源 (SMPS)等应用中。

产品

亮点

650 V TRENCHSTOP™ 5 F5与碳化硅（SiC）二极管结合，打造低电感设计，与 650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 系列相比，效率提高 1% 。F5 产品的设计投入力度更大，但获得的回报也更高。

特性	优势	应用
650 V 击穿电压对比英飞凌同类较为出色的“HighSpeed 3”系列: > Q_g 系数降低 2.5 倍 > 开关损耗系数降低 2 倍 > V_{_CE(sat)}减少了 200 mV 采用英飞凌极速硅二极管技术低 C_OES/E_OSS 温和正温度系数 V_CE(sat) V_f的温度稳定性	同类中效率较为出色，降低结和外壳温度，从而提高设备可靠性母线电压可提升 50 V，同时不影响可靠性更高的功率密度设计	PFC + PWM 拓扑: 工业加热和焊接不间断电源(UPS) 开关电源（SMPS）

特性

优势

应用