FP25R12W1T7_B11 1200 V 25 A PIM IGBT模块
综述
是1200 V、25 A 基于EasyPIM™ 1B封装的集成三相整流与逆变单元PIM（功率集成模块） IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、第七代发射极控制二极管和PressFIT压接技术,模块内集成有NTC。
特征描述
- 低通态电压VCE（sat）和Vf
- 过载时Tvj op=175°C
- 增强dv/dt可控性
- 基于dv/dt = 5kV/µs，优化开关损耗
- 8 μs短路耐受能力
- 改善续流二极管的软度
优势
- 与上代产品相比，相同电流规格使用更小的功率模块封装，功率密度得到提高
- 低损耗，符合高能效要求
- 实现损耗与EMI之间的最佳平衡
- 降低系统成本
图表
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