IGBT7 Modules

950 V/1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 和 EC7 二极管技术是基于最新的微沟槽技术，使得器件损耗大幅降低，并具有更高可控性。该技术平台的特别之处在于，实施由亚微米级平台隔开的平行沟槽单元，而之前使用的是方形沟槽单元。该芯片特别针对工业电机驱动应用和太阳能逆变器应用进行了优化，使得器件静态损耗大幅降低，功率密度更高，同时开关软度提高。此外，通过将功率模块在过载工况下容许的最高运行温度提高至175 °C，功率密度也可大幅提高。

我们的IGBT7模块将被用在Easy、Econo、 EconoDUAL™ 3 和 62mm 系列封装中。

开发出的芯片由 IGBT 7 和 EC（发射极 - 控制）7二极管组成，能最好地满足变频通用驱动（GPD）的所有需求。

具有优良的控制能力，在所有与应用有关的电流等级下具有足够的软度，静态损耗大幅降低，且抗短路能力强。结合EconoDUAL ™ 3 封装的改进和适应攻击电机驱动英中的过载工况所需求的全新温度范围，变频器设者师可以拥有高自由度。

在实际系统中进行的测量表明，相同电流下的温度可以降低 38 K，使得性能显著优于前代产品。或者，输出电流最多可以增大 150 A 。考虑到常规设计和重载设计的典型GPD标准，在变频器设计中使用EconoDUAL ™ 3 IGBT 7 代替 IGBT 4 ，可在相同的系统外形尺寸中，实现输出电流从 370 A 增加至 477 A 。

我们的Easy 1B和Easy 2B系列全面配备1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7和Emcon7二极管技术。该产品系列可提供10 A—100 A电流等级的PIM配置以及六单元配置。

该芯片专门针对工业驱动应用进行了优化，这意味着大大降低静态损耗、提高功率密度，并且开关更柔软。

用IGBT7解决方案替换TRENCHSTOP™ IGBT4，客户可以通过三种选择来充分利用其设计：

• 功率等级跃迁：在相同封装大小和相同系统冷却的情况下，采用IGBT7时电流增加30%
• 规格跃迁：输出功率增大11%，而且采用IGBT7时可以简化系统设计，减小系统体积
• 散热片减小：相同输出功率下散热片减少40%

采用TRENCHSTOP™ IGBT7技术的Easy 3B封装，可以将工业驱动应用中丰富的Easy产品系列扩展到更大的电流等级：PIM配置为50 A、75 A和100 A，六单元配置为100 A、150 A和200 A。

由于整个Easy系列具有相同的12 mm高度，因此它非常适合于工业应用场合的平台设计，如伺服驱动、机器人和空调等。

除工业驱动外，采用EasyPACK™ 3B封装的950 V有源中性点钳位（ANPC）的产品针对1500 V母线的太阳能逆变器，可以提供整体解决方案。对于 MPPT（最大功率点追踪器），英飞凌提供采用双升压拓扑的单模块解决方案，一个模块中有3路 MPPT，每路MPPT可处理高达26 A的电流。这使得该解决方案适用于双面太阳能电池板。

对于逆变器级，英飞凌提供两种解决方案：一种采用硅二极管，另一种采用CoolSiC™碳化硅二极管，采用TRENCHSTOP ™ IGBT7和CoolSiC ™碳化硅二极管的EasyPACK ™ 3B模块，较另一种可增加10%功率密度。

> 如欲了解更多产品信息，请查看我们的Easy产品页面。.

采用PIM和六单元配置的Econo 2和3系列是TRENCHSTOP ™ IGBT7模块系列的最新成员。

采用TRENCHSTOP ™ IGBT7的EconoPIM ™ 2和3模块系列的电流范围为25 A—200 A。相比上一代IGBT4芯片而言，其具有更高功率密度、更高开关频率，并且可以减少系统散热设计。譬如，EconoPACK™ 2 FS150R12N2T7在重载下可达到37 kW。

总之，在保持运行工况不变的情况下，产品使用寿命相同或更长。

通过最高功率密度和性能实现系统简化和成本降低

采用最新一代TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3模块产品系列，覆盖300 A—900 A电流等级流，进一步壮大了现有的1200 V IGBT4产品阵容。FF750R12ME7_B11和FF900R12ME7_B11采用改进的封装，能在相同的封装空间内承受更大电流和更高温度。加上FF300R12ME7_B11、FF450R12ME7_B11和FF600R12ME7_B11等低电流等级产品，向下补充完整了整个产品系列。

与TRENCHSTOP™ IGBT7技术相结合，新的产品能够显著降低损耗，实现更高可控性和开关柔性，以及良好的短路性能。另外，过载时175°C的最高工作温度，高效率和高功率密度，能够助力简化系统，并降低成本。