12V-40V N-沟道功率 MOSFET-英飞凌infineon官网
适合多种应用的低压功率 MOSFET
英飞凌 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 小巧紧凑，品类齐全，包含适用于低、中、高功率应用的OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ 技术系列。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列涵盖 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 以及 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌 OptiMOS™ 产品组合具有更高效率和功率密度，而种类齐全的StrongIRFET™ 产品则持久耐用，性能出色。依托 OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ 这两大产品系列，英飞凌得以打造出既能优化热性能，又可在减少占板面积的同时增强额定电流的紧凑型解决方案。
英飞凌 12 V-40 V 功率 MOSFET 产品组合分为两大类。第一类为“在售且首选”型器件，指具备出色性能和低 RDS(on) 的最新在售技术产品。第二类是“在售”产品，适合宽域开关频率应用，可提供业界一流的品质因数 (FOM) 以及高效率和功率密度。OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ 的丰富产品组合将为各类需求提供合适解决方案。
20 V 及 30 V OptiMOS™ 低压功率 MOSFET 均具备高功率密度和能效。依托低栅极电压 N 沟道 MOSFET、低输出电荷和紧凑型封装，英飞凌 OptiMOS™ 25 V MOSFET 成为服务器、数据通信和电信应用的理想选择之一，此类应用均需要极低电压 MOSFET 稳压器解决方案。OptiMOS™ 30 V N 沟道 MOSFET 旨在改善 EMI 特性，延长电池使用寿命，因此尤为适用于笔记本的电源管理。
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列经优化可实现高电流能力和低 RDS(on)，十分适合需要高性能和稳健性的低频应用。这一全面产品组合涵盖 20V 和 40V 电压等级的 MOSFET，适合包括直流电机、电池管理系统、逆变器及 DC-DC 转换器在内的各类应用。
N 沟道 40 V MOSFET 系列支持多种封装，包括可满足高低频率要求的 OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ 硅晶粒技术。
英飞凌低压 MOSFET 应用广泛，可用于无线充电器、电池供电应用以及 RC 电动车等低压驱动应用。
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12 V-40 V N 沟道 MOSFET 十分适用于直流电机驱动器、电池应用、负载开关及电动玩具等应用。上述和类似应用中的 OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ 解决方案均采用小尺寸紧凑型设计，因此可减少占板面积，提高额定值并优化热性能。
汽车用 12 V-40 V N 沟道 MOSFET
英飞凌旗下拥有型号丰富的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品，均已通过汽车标准认证。欲查找更多产品，请浏览汽车 MOSFET 页面。
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