45V-80V N-沟道功率 MOSFET-英飞凌infineon官网
45 V-80 V OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ N 沟道功率 MOSFET
英飞凌 45 V-80 V N 沟道 MOSFET 包含 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 系列产品,适用于低、中、高功率应用。
英飞凌提供多款不同产品,涵盖各型号器件:
- 60 V N 沟道 MOSFET
- OptiMOS™ 5 60 V N 沟道 MOSFET
- 60 V StrongIRFET™ N 沟道 MOSFET
- 逻辑电平 OptiMOS™ 和 IR MOSFET 60 V/80 V
- OptiMOS™ 5 80 V N 沟道 MOSFET
英飞凌旗下拥有丰富的 45 V-80 V N 沟道 MOSFET 产品,可满足工业和汽车应用的需求。以下可了解有关各型号产品的更多信息。
60V N 沟道 MOSFET
英飞凌 60 V N 沟道 MOSFET 系列产品采用了 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 硅晶粒技术,可应对高低开关频率要求。 60 V MOSFET 产品系列提供表面贴装和插件件,各类电源需求均能满足。
此外,英飞凌还提供多种功能强大且结构紧凑的 OptiMOS™ 50 V、55 V 和 60 V N 沟道 MOSFET,包括采用 SO-8 封装的双和单 N 沟道功率 MOSFET。
OptiMOS™ 5 60 V N 沟道 MOSFET
AC-DC 产品设计人员面临着一大共同挑战,即如何在降低成本的同时,提高系统效率和功率密度。与其他器件相比,英飞凌 OptiMOS™ 5 60 V 产品组合的漏源导通电阻 (RDS (on)) 低 15%,品质因数 (RDS(on) x Qg) 低 31%,是解决上述难题的理想之选。
OptiMOS™ 5 60 VN 沟道 MOSFET 系列除具备更高开关频率外,还可实现更高效率并大幅降低了电压过冲,因此无需配置过多缓冲电路,进而降低工程工作量和成本。
此类产品均就同步整流进行了优化,尤为适合开关模式电源 (SMPS)以及众多工业应用,如电机控制、太阳能微逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。
60V StrongIRFET™ N 沟道 MOSFET
StrongIRFET™60V MOSFET 产品组合专为各类工业应用设计,具备极低导通电阻 RDS(on) 和高载流能力,可改善低频率应用的性能。产品系列的各个器件均在行业最高雪崩电流水平下进行了 100% 雪崩测试,确保为高要求工业应用提供稳健解决方案。器件支持通孔和表面贴装封装。
逻辑电平 OptiMOS™ 5 和 IR MOSFET™ 60 V/80 V
英飞凌的逻辑电平 60 V 和 80 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 具备低栅极电荷 (Qg),可在不影响导通损耗的情况下降低开关损耗,因此十分适合无线充电、适配器及电信应用。器件品质因数经改善,支持高开关频率下运行。逻辑电平 OptiMOS™ 5 和 IR MOSFET™ 产品还提供 100 V 电压等级的型号。
OptiMOS™ 5 80 V N 沟道 MOSFET
英飞凌的OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET 封装组合领先业界,旨在用于电信和服务器电源应用的同步整流,以及太阳能、低压驱动器和笔记本电脑适配器。
相较于上代产品,OptiMOS™ 5 80 V MOSFET 的 RDS(on) 降低了 43%,并可提供 100 V 电压等级的型号。
英飞凌 45 V-80 V N 沟道 MOSFET 产品组合应用广泛,其中包括同步整流、太阳能逆变器以及电池供电应用。
汽车用 45 V-80 V N 沟道 MOSFET
英飞凌旗下拥有型号丰富的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品,均已通过汽车标准认证。欲查找更多产品,请浏览汽车 MOSFET 页面。
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