600 V CoolMOS™ 8
综述
该高压超结MOSFET产品系列具备600 V CoolMOS™ 7的所有优势
英飞凌最新的600 V CoolMOS™ 8是一项全球领先的高压超结MOSFET技术,无论是技术还是性价比,都在全球树立了新标杆。
该系列集成快速体二极管,使其成为众多不同应用的理想选择。它是英飞凌600 V CoolMOS™ 7 MOSFET产品系列(包含P7、S7、CFD7、C7、G7及PFD7)的更新换代,是英飞凌已有宽禁带产品组合的有力补充。
600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET的栅极电荷(Qg)相比CFD7减少18%,相比P7减少33%(@10 V);输出电容(COSS)相比CFD7和P7降低50%(@400 V);关断损耗(Eoss)相比CFD7和P7进一步降低12%;反向恢复电荷(Qrr)相比CFD7减少3%;并拥有市场上最短反向恢复时间(trr)。热性能(Rth)相比前代产品也提高了14% - 42%。
这些性能优势使得CoolMOS™ 8在LLC和ZVS相移全桥等软开关拓扑中具有最高效率和最佳可靠性。
此外,CoolMOS™ 8在PFC、TTF和其他硬开关拓扑中也具有出色的性能。由于导通电阻(RDS(on))获得优化,降至仅7 mΩ,CoolMOS™ 8可实现更高功率密度。
600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列是一项主要面向工业和消费类应用的“全包式”MOSFET技术。集成快速体二极管,使其适合用于目标应用中的所有主要拓扑。作为具有高性价比的硅基MOSFET技术,这是对英飞凌现有的宽禁带产品组合的有力补充。
该产品系列采用创新的SMD Q-DPAK、TOLL、Thin-TOLL 8x8封装,可简化组装过程,并降低组装成本。
特性 | 益处 |
最低导通电阻RDS(on)*A | 效率相比P7提高0.17%,相比C7提高0.05% |
集成快速体二极管 | 易于使用和加快设计 |
换流期间具有良好的稳健性 | 低振铃效应 |
先进互连技术 | 热阻(Rth)降低14-42% |
从7 mΩ开始的渐进式产品组合 | 简化产品组合 |
顶部冷却封装 | 系统级创新 |
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