600V CoolMOS™ CFD7

综述

高压Superjunction MOSFET系列适用于在高功率SMPS应用中的谐振拓扑。

CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压superjunction MOSFET技术，补全了CoolMOS™ 7系列。它是高功率SMPS应用（如服务器、电信和EV充电站）中的谐振拓扑结构的理想选择。

新的CoolMOS™ CFD7是CoolMOS™ CFD2系列的后继产品。与竞争对手相比，CoolMOS™CFD7 降低了门极电荷(Q_g)，改善了关断行为，反向恢复电荷(Q_rr)降低了高达69%，而且反向恢复时间(t_rr)在业内上是最短的。由于这些特性，CoolMOS™ CFD7 在诸如LLC和ZVS相移全桥之类的软开关拓扑中提供了最高的效率和一流的可靠性。此外，由于优化了的R_DS(on)，CoolMOS™CFD7可实现更高的功率密度。

所有这些最新的快速体二极管系列通过将快速开关技术的优点与卓越的换向稳健性结合在一起，并保持在设计过程中的易实现性，所以与竞争对手产品相比，具有明显的优势。

如果您的设计需要更高的电压，请参考我们的650 V CoolMOS™ CFD7 超结MOSFET家族。

产品

详情

主要特性

超快速体二极管
一流的反向恢复电荷 (Q_rr)
改进的反向二极管dv/dt和dif/dt耐久性
极低的FOM R_DS(on)x Q_g和E_oss
一流的R_DS(on)/封装结合

主要优势

流的硬换向稳健性
在于谐振拓扑结构中具有最高可靠性
高效率与杰出的易用性/性能的平衡
提升的功率密度解决方案

目标应用

以下显示的应用测量结果表明，最新的CoolMOS™CFD7系列功能在谐振开关拓扑结构中可显著提高效率。CoolMOS™CFD7与市场上的主要竞争对手相比，能效可增加高达1.45%，而且超出目标应用的要求。

By combining the 600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET with the 2EDN EiceDRIVER™ family, Infineon enables optimized system solutions for high power designs.

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设计支持

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