600V CoolMOS™ PFD7

英飞凌凭借20多年超结技术创新的开拓经验，开发的 600V CoolMOS™ PFD7 高压 MOSFET 系列在 600V 超结 (SJ) 技术领域设立了新基准。该系列融合了出类拔萃 的性能和最先进的易用性，并具有集成快速体二极管，确保结实耐用的元器件，最终减少了客户的物料 (BOM) 成本。

与 CoolMOS™ P7 技术相比，该产品系列的效率提高了1.17%，导致功率密度增加了1.8 W/in³。CoolMOS™ PFD7 将超结MOSFET技术推向了新的极限，显著降低了导通和充放电损耗，以及关断和栅极驱动的损耗。

广泛的R_DS (on) 值与各种封装相结合，有助于选择正确的元器件来优化设计。此外，高达2kV的集成  ESD 保护消除了与 ESD 相关的产量损失。同时，我们业界领先的表面贴装 (SMD) 封装产品，有助于节省材料和PCB 空间，简化制造。

产品带来的这些独特的功能及好处，使CoolMOS™ PFD7 超结MOSFET系列非常适用于超高密度应用，如充电器和适配器、USB 电源传输等，同时也适用于家用电器驱动器（如冰箱压缩机）和特定的照明开关电源应用。