650V CoolMOS™ CFD7
综述
CoolMOS™ 超结高压 MOSFET，专为工业应用的高效软开关拓扑量身定制
大数据、数字化和电动汽车等大趋势是 21 世纪发展的推动力。数据流量的增长、实时数据传输以及对电动汽车快速充电的需求，都需要更高效且功率密度更高的工业应用开关电源 (SMPS)。
650V CoolMOS™ 超结 MOSFET CFD7 系列不仅是英飞凌知名 CoolMOS™ 超结 MOSFET CFD7 系列的电压范围拓展型器件，也是 CoolMOS™ 超结 MOSFET CFD2 这一成熟系列的后续产品。凭借额外提高 50V 的击穿电压，集成式快速体二极管，增强的开关性能以及卓越热性能，该系列产品得以显著提高软开关应用的效率和功率密度。
650V CoolMOS™ N 通道 CFD7 产品系列的RDS(on) 在 TO-247、TO-220、D2PAK以及 QDPAK封装中均表现出色，使得客户可提高设计的功率密度，其主要应用领域为电信、服务器、太阳能和（非车载）电动汽车充电应用。
- 采用超快体二极管，Qrr 极低
- 650V 击穿电压
- 相较于竞品，开关损耗显著降低
- RDS(on) 的温度依赖性极低
- 出色的硬换向稳健性
- 总线电压提高，为设计提供额外安全裕度
- 可实现更高的功率密度
- 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率
- 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率
- 相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力
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