950V CoolMOS™ PFD7

综述

用于大功率照明、消费电子和工业电源应用的超功率密度设计。

950 V CoolMOS™ PFD7系列，兼顾了高效率和易用性，并集成快恢复体二极管，确保了器件的可靠性。

该产品系列主要针对PFC和LLC/LCC拓扑应用。950 V PFD7系列的Qg值比C3降低了60%，从而降低了驱动损耗，提高了轻载和满载效率。

主要特点

  • 集成了超快恢复的体二极管。
  • 业内领先的FOM RDS(on) x Eoss ；更低的Qg , Ciss 和 Coss
  • 在各种封装中都有更低的RDS(on)  ，如DPAK的450 mΩ或TO-247的60 mΩ
  • V(GS)th 为3 V，且上下限低至±0.5 V
  • 静电防护等级达到HBM Class 2
  • 英飞凌CoolMOS™一贯的高质量和高可靠性

  • 体二极管具有行业领先的硬换流可靠性，可在各种拓扑结构中使用
  • 与CoolMOS™ C3相比，效率提高达0.5%，MOSFET温度降低达4℃。
  • 实现更高的功率密度设计，节省BOM和降低装配成本
  • 易于驱动和设计
  • MOSFET在G-S间集成ESD保护，降低静电损坏隐患，提升生产质量

  • LED照明
  • 消费电子
  • 工业电源等
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