600V and 650V CoolMOS™ C7

英飞凌的 600 V 和 650 V CoolMOS™ C7 超结 (SJ) MOSFET 系列旨在实现创纪录的效率性能，与先前的 CoolMOS™ 系列和竞争对手相比，在硬开关应用的整个负载范围内提供显著的效率优势。

600 V CoolMOS™ C7—我们的旗舰 CoolMOS™ 技术，适用于硬开关和高端软开关拓扑

与 CoolMOS™ CP 相比，600 V CoolMOS™ C7 系列的关断损耗 (E_oss) 减少约 50%。其在 PFC、TTF 和其他硬开关以及高端 LLC 拓扑中提供卓越的性能水平，并将硅基 MOSFET 的使用拓展到下一代高效率的电源设计。

650 V CoolMOS™ C7—每个封装具有市场领先的同类中较为理想的导通电阻

与 600 V CoolMOS™ C7 相比，在需要额外的 50 V 击穿电压时，650 V CoolMOS™ C7 系列在功率因数校正 (PFC) 等硬开关应用中实现新的性能水平。其通过均衡多个关键参数，在整个负载范围内提供效率优势。