600V CoolMOS™ G7

综述

英飞凌科技公司在带底部冷却TO-Leadless (TOLL)的表面贴装器件(SMD)中采用600V CoolMOS™ C7 Gold (G7)技术。600V CoolMOS™ G7系列现在也适用于英飞凌最新的顶部冷却套件产品. Double DPAK (DDPAK)套件.

CoolMOS™G7首次集成了改良的600V CoolMOS™ C7技术，4引脚开尔文源功能以及TO-Leadless和DDPAK套件的改良热性能的优势，为高电流硬开关拓扑提供SMD解决方案，例如高达3kW的功率因数校正(PFC), 600V CoolMOS™ G7和高端LLC等谐振电路.

最值得注意的客户效益：改进的CoolMOS™ G7技术实现了更高的效率；由于套件低寄生源电感和4引脚开尔文源极概念从而实现更快的开关转换；采用空间占用较小的低RDS(on)从而提高功率密度；采用表面贴装器件后，装配时间缩短从而降低生产成本.

产品
详情

600V CoolMOS™G7功率MOSFET - 为顾客创造利益

  • 由于套件低寄生源电感和4引脚开尔文源概念，CoolMOS™G7技术得到改善、开关转换速度更快，从而使得效率更高。
  • 通过替换TO套件（高度限制）或平行SMD套件（出于散热或RDS(on)要求），以空间占用较小的低RDS(on)提高功率密度。
  • 采用表面贴装器件后，装配时间缩短从而降低生产成本。

600V CoolMOS™G7功率MOSFET的主要特性和优势

特性

  • 一流的FOM RDS(on) x Eoss和RDS(on) x QG
  • 一流的RDS(on)，其所占空间最小
  • 内置第4引脚开尔文源配置和低寄生源电感（~1nH）
  • 符合MSL1标准、完全无铅、易于肉眼检查带槽引线
  • 提高热性能Rth

优势

  • 600V G7: FOM RDS(on) x QG比之前的600V CoolMOS™ C7可提升16%的效率
  • 600V G7: 通过一流的28mΩ、115mm2TOLL空间的功率密度
  • 通过开尔文源降低寄生源电感提高开关效率和易用性改进的散热功能使SMD
  • TOLL套件能够用于比以前更高的电流设计
  • 改进的散热功能使SMD TOLL套件能够用于比以前更高的电流设计

应用

参数 套件

R DS(on)(max) [mΩ]

 Q G (typ) [nC] C oss (typ) [pF]
竞争对手 A 600V D²PAK 99 100 156
600V CoolMOS™ C7 Gold (G7) TOLL 102 34 27
比较 减少30%的所占空间 相似的 RDS(on) 用作比较 比竞争对手低66% 比竞争对手低83%

 

参数 所占空间 [mm²]

R DS(on)(max) [mΩ]

 源电感 [nH] 开尔文源 特性
D²PAK 150 87* 5 无
TOLL 115 28 1 是
比较 空间减少 30% RDS(on)低68% 电感低80% 开尔文源的优势在于提高效率和易用性

*出色的竞争对手

TOLL效率优势与TO-247相比较

由于TO-Leadless套件的低RDS(on) 和4引脚开尔文源功能，TOLL与TO-247相比其满负荷效率提高了0.6%。

600V CoolMOS™ G7

LLC circuit

600V CoolMOS™ G7

PFC circuit

600V CoolMOS™ G7—4引脚开尔文源功能

独立的引脚“源感应”为驱动器提供不受干扰的信号，从而在满负载时提供更高的效率。

您可能对此也感兴趣

推荐文档

Button-Infineon-PowerandSensing-SG
支持