700V CoolMOS™ P7
综述
700 V CoolMOS™ P7 -反激式拓扑的选择
700 V CoolMOS™ P7 超级结 (SJ) MOSFET 系列，针对反激式拓扑开发。本技术面向低功率市场，如手机充电器和笔记本适配器， LED照明、家庭娱乐（电视、游戏机或音频设备），以及辅助电源。
与竞争产品相比，700 V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET 系列产品的效率提升高达 4%，器件温度降低达 16°C。在反激式充电器应用中，当开关频率为140kHz，700V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET相较于之前的 650V CoolMOS™ C6 技术，效率提升2.4%，器件温度降低 12°C。
700 V CoolMOS™ P7 N系列产品具有明显的成本竞争优势。产品开关损耗低，热性能优异，且允许高速切换。
在考虑易用性的同时，英飞凌一直致力于推出VGS（th）低至3V，极窄容差为±0.5V的技术。这使得P7易于设计并且可以使用较低的栅源电压，因此P7易于驱动并且闲置损耗更少。
为了将ESD耐受性提高到HBM 2级，700 V CoolMOS™P7具有集成齐纳二极管。这有助于提高组装成品率，减少与生产有关的故障，而且最终可以在客户端节约制造成本。
核心功能
- 高性能技术
- 低开关损耗（Eoss）
- 高效
- 优异的热性能
- 允许高速切换
- 集成保护齐纳二极管
- 经优化，VGS (th)为3V，极窄容差为±0.5V
- 极致优化的产品系列
核心优点
- 成本竞争技术
- 在更高开关速度下进一步提高效率
- 以较低 BOM 成本支撑较小的磁性尺寸
- 高达HBM 2级的高ESD坚固性
- 易于驱动和设计
- 用于较小形状因数和高功率密度设计的启用器
- 选择配套产品时的绝佳选择
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