950V CoolMOS™ P7

综述

PFC和反激拓扑结构的理想选择

最新的950 V CoolMOS™ P7技术专注于低功率SMPS市场，旨在满足高压MOSFET领域不断增长的消费者需求。这款全新的P7系列产品适用于各种应用，从照明、智能电表、手机充电器、笔记本适配器到AUX电源和工业SMPS 。

新型950 V CoolMOS™ P7系列比其前代产品900 V CoolMOS™ C3提供高50V的阻断电压，在效率、热性能和易用性方面表现出色。

相对效率和温度--竞争性对比

与竞争产品相比,950 V CoolMOS™ P7具有同类最佳的效率和热性能. 在90 V_AC下的 40W适配器参考设计中即插即用,采用无缓冲器概念,与同类竞争技术相比,具有高达0.2%的出色效率增益,并可将MOSFET温度降低高达5.2°C.

一流的DPAK R_DS(on) - 竞争性对比

与所有其他P7系列产品一样,950 V CoolMOS™ P7系列也配有集成的齐纳二极管ESD保护. 该集成二极管显著提高了ESD稳健性,从而降低了与ESD相关的产量损失,并达到了极高的易用性水平. CoolMOS™ P7采用一流的3V V_GS(th)和仅±0.5V的偏差,使得它很容易驱动和实现设计导入.

凭借20多年的超级结技术经验,英飞凌推出具有一流DPAK导通电阻(R_DS(on))的950 V CoolMOS™ P7. 此SMD器件的R_DS(on)为450 mΩ - 与最接近的竞争产品相比,R_DS(on)降低了60%以上. 如此低的R_DS(on)值可实现更高密度的设计,同时降低BOM和装配成本.

主要特点和优势

主要特征

一流的FOM R_DS(on)* E_oss; 降低的Q_g, C_iss和C_oss
一流的450 mΩ DPAK R_DS(on)
一流的3 V V_GS(th)和最小的 ±0.5 V V_GS(th)变化
集成齐纳二极管ESD达到2级(HBM)保护
一流的品质和可靠性

主要优势

与CoolMOS™ C3相比,效率可提高1%, MOSFET温度可降低2°C至10°C
实现更高功率密度设计,物料成本节省和更低的装配成本
易于驱动和设计导入
通过减少与ESD相关的故障来提高产量
减少生产问题,减少退货

产品

亮点

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950 V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET的主要特点与优势

主要特征

一流的FOM R_DS(on)* E_oss; 降低的Q_g, C_iss和C_oss
一流的450 mΩ DPAK R_DS(on)
一流的3V V_GS(th)和最小的 ±0.5 V V_GS(th)变化
集成齐纳二极管ESD达到2级(HBM)保护
一流的品质和可靠性

主要优势

与CoolMOS™ C3相比,效率可提高1%, MOSFET温度可降低2°C至10°C
实现更高功率密度设计,物料成本节省和更低的装配成本
易于驱动和设计导入
通过减少与ESD相关的故障来提高产量
减少生产问题,减少退货

与所有其他P7系列产品一样,950 V CoolMOS™ P7系列也配有集成的齐纳二极管ESD保护. 该集成二极管显著提高了ESD稳健性,从而降低了与ESD相关的产量损失,并达到了极高的易用性水平. CoolMOS™ P7采用一流的3V V_GS(th)和仅±0.5 V的偏差,使得它很容易驱动和实现设计导入.

凭借20多年的超级结技术经验,英飞凌推出具有一流DPAK导通电阻(R_DS(on))的950 V CoolMOS™ P7. 此SMD器件的R_DS(on)为450 mΩ - 与最接近的竞争产品相比,R_DS(on)降低了60%以上. 如此低的R_DS(on)值可实现更高密度的设计,同时降低BOM和装配成本.