IPD60R180P7
综述
优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
特征描述
效率
- 600V P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
使用方便
- 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s
- 集成栅极电阻器 R G
- 坚固体二极管
- 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线
- 标准级和工业级部件可供选择
优势
效率
- 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率
使用方便
- 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性
- 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度
- MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑
- 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性
- 广泛适用于各种终端应用和输出功率
- 可选部件适用于消费和工业应用
潜在应用
- 电视电源
- 工业 SMPS
- 服务器
- 通信
- 照明
视频
培训
质量
支持
