IPDQ60R010S7

综述

英飞凌的600V 超结 MOSFET具备极低 RDS(on) 并采用创新型顶部冷却 QDPAK 封装，是低频开关与固态应用的理想之选

600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 系列专为低导通损耗优化，具备高压超结 MOSFET 市场领域中的较低 RDS(on)。该系列产品提供前所未有的 RDS(on) 与价格，品质因数出色，尤为适用于固态断路器与继电器、PLC、电池保护以及大功率电源中的有源桥式整流。

特征描述

  • 低 RDS(on)
  • 紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装
  • 针对导通性能进行优化
  • 热阻改善
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源极引脚可改善大电流下的开关性能

优势

  • 低导通损耗
  • 提高效能
  • 更为紧凑与简便的设计
  • 摒弃或减少固态设计中的散热器
  • 总体拥有成本 (TCO) 或 BOM 成本降低

潜在应用

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