IPT60R022S7

综述

英飞凌旗下最具性价比的 600V CoolMOS™ S7 superjunction MOSFET，采用 TO 无引线型 (TOLL) 封装

英飞凌旗下 600V CoolMOS™ S7 superjunction MOSFET (IPT60R022S7) 采用 TO 无引线型（无铅）封装，带有降低传导损耗的优化设计。600V CoolMOS™ SJ MOSFET 实现更高能效，降低物料清单费用。IPT60R022S7 在低开关频率应用中实现最佳 RDS(on) x 成本，例如有源桥式整流器、倒相级、浪涌继电器、PLC、HV DC 线、电源固态继电器 (SSR) 和固态断路器 (SSCB) 等应用。

特征描述

  • SMD 封装中的同类最佳 RDS(on)
  • 传导性能经过优化
  • 改善热阻
  • 高脉冲电流容量
  • 开尔文源极引脚提升高电流时的开关性能
  • TOLL 封装符合 MSL1 标准，完全无铅且便于目检引线

优势

  • 尽可能降低传导损耗
  • 增加能效
  • 更精巧与轻便的设计
  • 消除或减少固态设计的散热器
  • 降低总体拥有成本 (TCO) 或物料清单 (BOM) 费用

潜在应用

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