IPT65R033G7
综述
使用开尔文源极概念的新型SMD封装
CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 650V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TOLL 封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用打造 SMD 解决方案。
特征描述
CoolMOS™ C7 Gold
- 出色的FOM R DS（on） * E oss 和R DS（on） * Q G
- 出色的R DS(on)，其所占空间最小
TOLL封装
- 内置第4引脚开尔文源配置和低寄生源电(~1nH)
- 符合MSL1标准、完全无铅、易于肉眼检查带槽引线
- 提高热性能Rth
优势
- FOM R DS(on)xQ G比之前的650V CoolMOS™ C7可提升14%的效率
- 通过出色的33mΩ、115mm 2TOLL封装表现功率密度
- 通过开尔文源极降低寄生源电感，提高开关效率和易用性
- TOLL封装易于使用，具有极高的质量标准
- 改进的热性能使SMD TOLL封装能够再相较于之前电流更高的设计中使用
潜在应用
视频
质量
支持
