IPZ60R040C7
综述
CoolMOS™ C7超级结 MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓扑结构内可提供最佳性能
600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！
CoolMOS™ C7 提供的更高效率有益于效率和总体拥有成本（TCO）应用，如超数据中心和高效率电信整流器（>96%）。在 PFC 拓扑结构中，可获得 0.3% - 0.7% 的增益，在LLC拓扑结构中，可获得 0.1% 的增益。例如，如果是 2.5kW 的服务器 PSU，在 TO-247 4 针套件内采用 600V CoolMOS™ C7 超级结 MOSFET 可为 PSU 能量损耗减少大约 10% 的能源成本。
特征描述
- 开关损耗参数减少，如 Q G、C oss、E oss
- 最佳品质因数 Q G*R DS(on)
- 开关频率增加
- 世界上最佳的 R (on)*A
- 坚固体二极管
优势
- 可在不损失效率的情况下增加开关频率
- 为轻负载和满载效率测量显示关键参数
- 开关频率加倍会将磁性元件的尺寸减半
- 对于相同的 R DS(on)，包装更小
- 可用于硬开关和软开关拓扑结构中的更多位置
潜在应用
另请参阅我们的 2EDL EiceDRIVER™ 紧凑型 600V 半桥栅极驱动器芯片系列。单片集成低欧姆二极管和超快自举二极管采用电平转换 SOI（绝缘体硅片）技术，适用于 IGBT 或 MOSFET。
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