Bare Die

英飞凌的OptiMOS™ 和StrongIRFET™25V至250V功率MOSFET裸片系列可满足从低开关频率到高开关频率的广泛需求。

OptiMOS™裸片具有极低的导通电阻（R_DS(on)）以及快速开关行为，可以为各类工业及消费类应用提供出色的性能。StrongIRFET™裸片针对低RDS(on)和高电流能力进行了优化，非常适合对性能和耐用性具有要求的低频应用。

• 适用于芯片焊接：焊接或粘接
• 背面金属化：NiAg系统
• 正面金属化：AICu系统
• 饨化: 酰亚胺 (只在边缘结构上)

有关StrongIRFET™和OptiMOS™功率MOSFET裸片产品的更多信息，请联系英飞凌服务中心或您当地的销售部门。